Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF6G27-100,112
BLF6G27-100,112

BLF6G27-100,112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Артикул:
    BLF6G27-100,112
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V SOT502AВсе характеристики

Минимальная цена BLF6G27-100,112 при покупке от шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G27-100,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF6G27-100,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
    Тип транзистора LDMOS
  • Тестовое напряжение
    28 V
    Тестовое напряжение 28 V
  • Current Rating (Amps)
    29A
    Current Rating (Amps) 29A
  • Тестовый ток
    900 mA
    Тестовый ток 900 mA
  • Мощность передачи
    14W
    Мощность передачи 14W
  • Нормальное напряжение
    65 V
    Нормальное напряжение 65 V
  • Корпус
    SOT-502A
    Корпус SOT-502A
  • Исполнение корпуса
    SOT502A
    Исполнение корпуса SOT502A
  • Base Product Number
    BLF6G27
    Base Product Number BLF6G27
Техническая документация
 BLF6G27-100,112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    BLF6G27-100,112
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V SOT502AВсе характеристики

Минимальная цена BLF6G27-100,112 при покупке от шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G27-100,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF6G27-100,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
    Тип транзистора LDMOS
  • Тестовое напряжение
    28 V
    Тестовое напряжение 28 V
  • Current Rating (Amps)
    29A
    Current Rating (Amps) 29A
  • Тестовый ток
    900 mA
    Тестовый ток 900 mA
  • Мощность передачи
    14W
    Мощность передачи 14W
  • Нормальное напряжение
    65 V
    Нормальное напряжение 65 V
  • Корпус
    SOT-502A
    Корпус SOT-502A
  • Исполнение корпуса
    SOT502A
    Исполнение корпуса SOT502A
  • Base Product Number
    BLF6G27
    Base Product Number BLF6G27
Техническая документация
 BLF6G27-100,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AFT09MS007NT1Транзистор: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    BLF6G10LS-200RN,11Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
    2N5485Транзистор: T-JFET N CHANNEL
    NE3515S02-T1C-AТранзистор: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
    AFT05MS006NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    BLF7G24L-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
    BLM7G1822S-40ABYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12112
    MRFE6VP5600HSR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
    MMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    BLF1721M8LS200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    BLL8H0514L-130UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A
    BF909AWR,115Транзистор: MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143R
    BLP8G27-10ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    2N5484Транзистор: JFET N-CH 25V 5MA TO92
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    ATF-36163-BLKGТранзистор: FET RF 3V 4GHZ SOT-363
    MRF6S27050HR5Транзистор: RF 2.62GHZ, NI-780, MOSFET
    BLF184XRGQТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    BLF8G20LS-230VJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП