Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF7G15LS-200,112
BLF7G15LS-200,112

BLF7G15LS-200,112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Артикул:
    BLF7G15LS-200,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF7G15LS-200,112 при покупке от шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF7G15LS-200,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF7G15LS-200,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.47GHz ~ 1.51GHz
  • Усиление
    19.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    56A
  • Тестовый ток
    1.6 A
  • Мощность передачи
    50W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLF7G15
Техническая документация
 BLF7G15LS-200,112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    BLF7G15LS-200,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF7G15LS-200,112 при покупке от шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF7G15LS-200,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF7G15LS-200,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.47GHz ~ 1.51GHz
  • Усиление
    19.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    56A
  • Тестовый ток
    1.6 A
  • Мощность передачи
    50W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLF7G15
Техническая документация
 BLF7G15LS-200,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    MMRF1019NR4Транзистор: FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
    ARF461AGТранзистор: RF MOSFET N-CH 1000V TO247
    BLF8G20LS-200V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B
    NE3521M04-T2-AТранзистор: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
    VRF154FLТранзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
    BLF178XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    PD55003TR-EТранзистор: FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
    ARF463AP1GТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    AFT21H350W03SR6Транзистор: FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S
    SD4933Транзистор: TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    MRF6V12500HR5Транзистор: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
    MRF6S27085HR5Транзистор: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    ARF476FLТранзистор: RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    VRF2933Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177
    AFT18S230SR3Транзистор: FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6
    AFT26H250-24SR6Транзистор: FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4
    BLP10H603AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    BLD6G22L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
    2SK209-BL(TE85L,F)Транзистор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    MRF8S9120NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
    MRF8P9040NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V TO272-4
    BLF882SUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B
    AFT23S170-13SR3Транзистор: FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S
    BLF7G27LS-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B
    BLF7G24LS-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    MRF6V14300HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V NI780H
    BLF6G20LS-110,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП