Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLS6G2731S-130,112
BLS6G2731S-130,112

BLS6G2731S-130,112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLS6G2731S-130,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221Все характеристики

Минимальная цена BLS6G2731S-130,112 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS6G2731S-130,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLS6G2731S-130,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    12dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    130W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-922-1
  • Исполнение корпуса
    CDFM2
  • Base Product Number
    BLS6
Техническая документация
 BLS6G2731S-130,112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLS6G2731S-130,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221Все характеристики

Минимальная цена BLS6G2731S-130,112 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS6G2731S-130,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLS6G2731S-130,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    12dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    130W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-922-1
  • Исполнение корпуса
    CDFM2
  • Base Product Number
    BLS6
Техническая документация
 BLS6G2731S-130,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMRF1023HSR5Транзистор: FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
    CGH40090PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440199
    BLF542,112Транзистор: RF FET NCHA 65V 16DB SOT171A
    BLF644PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A
    BLF8G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    2N5484Транзистор: JFET N-CH 25V 5MA TO92
    BLF6G38-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502A
    SD2933WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF
    MRF8P23080HSR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    BLP25M705ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    BLF2425M7LS250P,11Транзистор
    AFT18S230SR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
    BLF184XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    BLA6G1011-200R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
    BLS7G2729LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B
    BLP05H635XRYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
    AFT09MP055NR1Транзистор: FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
    BLF878,112Транзистор: RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A
    BLF2425M9L30UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A
    BLF6G22-45,135Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A
    NPT1004DТранзистор: HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC
    SD2932WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF
    J210Транзистор: JFET N-CH 25V 15MA TO92
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    SD4931Транзистор: TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M174
    BLF8G24LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    BLF6G38S-25,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B
    MRF171AТранзистор: FET RF 65V 200MHZ 211-07
    BF1009SRE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП