Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSS606NH6327XTSA1
BSS606NH6327XTSA1

BSS606NH6327XTSA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    BSS606NH6327XTSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89Все характеристики

Минимальная цена BSS606NH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 152.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSS606NH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSS606NH6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 3.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 15µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.6 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    657 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT89
  • Корпус
    TO-243AA
  • Base Product Number
    BSS606
Техническая документация
 BSS606NH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 31758 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    152 ₽
  • 10
    98 ₽
  • 50
    81 ₽
  • 200
    64 ₽
  • 500
    49 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    BSS606NH6327XTSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89Все характеристики

Минимальная цена BSS606NH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 152.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSS606NH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSS606NH6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 3.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 15µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.6 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    657 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT89
  • Корпус
    TO-243AA
  • Base Product Number
    BSS606
Техническая документация
 BSS606NH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TK6A65D(STA4,Q,M)Транзистор: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
    PSMN017-30LL,115MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
    SPD03N60C3ATMA1MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
    SPI12N50C3XKSA1MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
    NTMFS4C03NT1GMOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
    IRLZ14PBFMOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
    FDD13AN06A0MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
    IRFP4004PBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
    STP180N10F3MOSFET N-CH 100V 120A TO220
    IRF840ALPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
    CSD17303Q5MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
    ZVP4525E6TAТранзистор: MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
    IRF6775MTRPBFMOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
    IRFR320PBFMOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    AUIRL2203NMOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
    IXFH110N25TMOSFET N-CH 250V 110A TO247AD
    FDAF69N25Транзистор: MOSFET N-CH 250V 34A TO3PF
    IRFSL7540PBFMOSFET N-CH 60V 110A TO262
    FDMA86151LMOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
    DMN2050L-7MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
    FQPF5N50CYDTUТранзистор: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3
    FQPF8N60CFTMOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
    IRF7425TRPBFMOSFET P-CH 20V 15A 8SO
    NTLJS2103PTBGMOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
    FDMS86252LMOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
    PMPB12UN,115MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
    IRFP450APBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
    RSQ020N03TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
    TK25E60X5,S1XMOSFET N-CH 600V 25A TO220
    STL140N6F7MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП