Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

BUK624R5-30C,118

BUK624R5-30C,118

BUK624R5-30C,118

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
NXP USA Inc.
Артикул:
BUK624R5-30C,118
Описание:
PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,Все характеристики

Минимальная цена BUK624R5-30C,118 при покупке от 560 шт 101.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK624R5-30C,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BUK624R5-30C,118

Package
Bulk
Package Bulk
Тип полевого транзистора
N-Channel
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 25A, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 1mA
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Vgs (Max) ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4707 pF @ 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4707 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
158W (Tc)
Рассеивание мощности (Макс) 158W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Вид монтажа Surface Mount
Исполнение корпуса
DPAK
Исполнение корпуса DPAK
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Техническая документация

BUK624R5-30C,118.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

24820 шт
3-6 недель

Количество
Цена
560
101 ₽

Минимально и кратно 560 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

В избранное
В сравнение

Производитель:
NXP USA Inc.
Артикул:
BUK624R5-30C,118
Описание:
PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,Все характеристики

Минимальная цена BUK624R5-30C,118 при покупке от 560 шт 101.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK624R5-30C,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BUK624R5-30C,118

Package
Bulk
Package Bulk
Тип полевого транзистора
N-Channel
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 25A, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 1mA
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Vgs (Max) ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4707 pF @ 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4707 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
158W (Tc)
Рассеивание мощности (Макс) 158W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Вид монтажа Surface Mount
Исполнение корпуса
DPAK
Исполнение корпуса DPAK
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Техническая документация

BUK624R5-30C,118.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

NVMFS5C404NLWFT1G

STW30N65M5 MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3

3LP01C-TB-E MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP

NTD4970N-35G MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK

SFT1342-TL-W MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA

TPN6R303NC,LQ MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

2N7002BK,215 Транзистор: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB

FDMA0104 TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN

FCB070N65S3 MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK

IRFP140NPBF MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC

RJK0395DPA-00#J5A MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

R6046ANZ1C9 MOSFET N-CH 600V 46A TO247

IRFSL4010PBF MOSFET N-CH 100V 180A TO262

PMT760EN,115 MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223

NVGS3130NT1G MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

IRFIBE30GPBF MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3

IRFR420APBF MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

IRLML2030TRPBF Транзистор: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23

STP43N60DM2 MOSFET N-CH 600V 34A TO220

BUK7M12-40EX MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Диоды - ВЧ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Диоды - выпрямители - массивы

Триодные тиристоры - Модули

Драйверы питания - Модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные

Полевые транзисторы - Одиночные

Принадлежности

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - JFET

Полевые транзисторы - Сборки

Высокочастотные полевые транзисторы

Диоды - мостовые выпрямители

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы - Модули

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Высокочастотные диоды

Варикапы и Варакторы

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - IGBT - модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Транзисторы - Специального назначения

Биполярные транзисторы - Сборки

Диоды силовые

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Тиристоры - TRIACs

Триодные тиристоры - Одиночные

Тиристоры - SCR

Диоды выпрямительные - Сборки

Диоды - выпрямители - одиночные

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды выпрямительные - Одиночные

IGBT транзисторы

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы - Модули

Модули драйверов питания

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Транзисторы - программируемые однопереходные

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Транзисторы - IGBT - одиночные

Симисторы

Диодные мосты

Диодные мосты - Модули

Симисторы - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали