Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BUK624R5-30C,118
BUK624R5-30C,118

BUK624R5-30C,118

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BUK624R5-30C,118
  • Описание:
    PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,Все характеристики

Минимальная цена BUK624R5-30C,118 при покупке от 560 шт 101.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK624R5-30C,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BUK624R5-30C,118

  • Package
    Bulk
    Package Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
    Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5mOhm @ 25A, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 1mA
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78 nC @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
    Vgs (Max) ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4707 pF @ 25 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4707 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    158W (Tc)
    Рассеивание мощности (Макс) 158W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
    Вид монтажа Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
    Исполнение корпуса DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Техническая документация
 BUK624R5-30C,118.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 24820 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 560
    101 ₽

Минимально и кратно 560 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BUK624R5-30C,118
  • Описание:
    PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,Все характеристики

Минимальная цена BUK624R5-30C,118 при покупке от 560 шт 101.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK624R5-30C,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BUK624R5-30C,118

  • Package
    Bulk
    Package Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
    Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5mOhm @ 25A, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 1mA
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78 nC @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
    Vgs (Max) ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4707 pF @ 25 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4707 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    158W (Tc)
    Рассеивание мощности (Макс) 158W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
    Вид монтажа Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
    Исполнение корпуса DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Техническая документация
 BUK624R5-30C,118.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVMFS5C404NLWFT1G
    STW30N65M5MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
    3LP01C-TB-EMOSFET P-CH 30V 100MA 3CP
    NTD4970N-35GMOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
    SFT1342-TL-WMOSFET P-CH 60V 12A TP-FA
    TPN6R303NC,LQMOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
    2N7002BK,215Транзистор: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
    FDMA0104TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
    FCB070N65S3MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
    IRFP140NPBFMOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
    RJK0395DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    R6046ANZ1C9MOSFET N-CH 600V 46A TO247
    IRFSL4010PBFMOSFET N-CH 100V 180A TO262
    PMT760EN,115MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223
    NVGS3130NT1GMOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
    IRFIBE30GPBFMOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
    IRFR420APBFMOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
    IRLML2030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
    STP43N60DM2MOSFET N-CH 600V 34A TO220
    BUK7M12-40EXMOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП