Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BZT52H-B30,115

BZT52H-B30,115

BZT52H-B30,115
;
BZT52H-B30,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BZT52H-B30,115
  • Описание:
    Диод: стабилитрон; 0,375/0,83Вт; 30В; SMD; бобина,лента; SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена BZT52H-B30,115 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52H-B30,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BZT52H-B30,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    30 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    375 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    40 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 21 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52H-B30

Техническая документация

BZT52H-B30,115.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BZT52H-B30,115
  • Описание:
    Диод: стабилитрон; 0,375/0,83Вт; 30В; SMD; бобина,лента; SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена BZT52H-B30,115 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52H-B30,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BZT52H-B30,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    30 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    375 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    40 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 21 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52H-B30

Техническая документация

BZT52H-B30,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары