Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CGH27030S-AMP1
CGH27030S-AMP1

CGH27030S-AMP1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGH27030S-AMP1
  • Описание:
    Транзистор: AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030SВсе характеристики

Минимальная цена CGH27030S-AMP1 при покупке от 1 шт 178967.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH27030S-AMP1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGH27030S-AMP1

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    21.1dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    120 V
  • Корпус
    12-VFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    12-DFN (4x3)
Техническая документация
 CGH27030S-AMP1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    178 967 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGH27030S-AMP1
  • Описание:
    Транзистор: AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030SВсе характеристики

Минимальная цена CGH27030S-AMP1 при покупке от 1 шт 178967.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH27030S-AMP1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGH27030S-AMP1

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    21.1dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    120 V
  • Корпус
    12-VFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    12-DFN (4x3)
Техническая документация
 CGH27030S-AMP1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLC9H10XS-606AZТранзистор: BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
    19 795Кешбэк 2 969 баллов
    CLF3H0060S-30UТранзистор: CLF3H0060S-30U/SOT1227/TRAY
    48 549Кешбэк 7 282 балла
    CG2H80045D-GP4Транзистор: 45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B
    39 474Кешбэк 5 921 балл
    BLC9G20XS-160AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16.6DB SOT12753
    10 484Кешбэк 1 572 балла
    2SK3820-DL-1EXNCH 4V DRIVE SERIES
    253Кешбэк 37 баллов
    ART2K0FESUТранзистор: ART2K0FES/SOT539/TRAY
    51 501Кешбэк 7 725 баллов
    BLA9H0912L-1200PUТранзистор: BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
    118 219Кешбэк 17 732 балла
    A3G26D055N-2400Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 28W 2400MHZ
    60 089Кешбэк 9 013 баллов
    A2T27S007NT1Транзистор: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    1 125Кешбэк 168 баллов
    BLP15H9S30ZТранзистор: BLP15H9S30/SOT1482/REELDP
    4 368Кешбэк 655 баллов
    CGHV1J070D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V DIE
    92 778Кешбэк 13 916 баллов
    MRFX1K80GNR5Транзистор: 600MHZ 1.8KW OM1230G-4L
    57 310Кешбэк 8 596 баллов
    BLS9G3135L-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    68 365Кешбэк 10 254 балла
    MRF101BNТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
    17 596Кешбэк 2 639 баллов
    2SK1482-T-AZSMALL SIGNAL FET
    113Кешбэк 16 баллов
    BLF0910H9LS600JТранзистор: BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
    23 233Кешбэк 3 484 балла
    ART35FEUТранзистор: ART35FE/SOT467/TRAY
    17 183Кешбэк 2 577 баллов
    CGH27060FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    63 210Кешбэк 9 481 балл
    BLM9D2327-26BZBLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
    5 609Кешбэк 841 балл
    MRF300BNТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
    13 976Кешбэк 2 096 баллов
    MCH6415-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    49Кешбэк 7 баллов
    BLC10M6XS200ZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1270-1
    12 371Кешбэк 1 855 баллов
    FSS172-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    85Кешбэк 12 баллов
    CPH3408-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    91Кешбэк 13 баллов
    TAV1-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
    402Кешбэк 60 баллов
    BLP0408H9S30ZТранзистор: BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP
    6 919Кешбэк 1 037 баллов
    BLS9G3135L-115UТранзистор: BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
    28 153Кешбэк 4 222 балла
    WP48007025Транзистор: RF GaN HEMT 48V DIE DC~7GHZ, 25W
    15 937Кешбэк 2 390 баллов
    UPA608T(0)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    BLC2425M9LS250ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701
    23 965Кешбэк 3 594 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП