Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
CSD1FNCHEVM-889

CSD1FNCHEVM-889

CSD1FNCHEVM-889
;
CSD1FNCHEVM-889

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена CSD1FNCHEVM-889 при покупке от 1 шт 17563.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CSD1FNCHEVM-889 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CSD1FNCHEVM-889

CSD1FNCHEVM-889 Texas Instruments N-CHAN FEMTOFET MOSFET TEST EVM

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Технология: FET (FemtoFET)
    • Рабочее напряжение: до 5 В
    • Потребляемая мощность: низкая
    • Частота: до 20 МГц
  • Плюсы:
    • Низкое энергопотребление
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер
    • Устойчивость к шуму
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Ограниченная рабочая температура
    • Необходимо специальное оборудование для тестирования
  • Общее назначение:
    • Тестирование и анализ характеристик N-канальных MOSFET
    • Исследование новых технологий в области MOSFET
    • Демонстрация возможностей современных MOSFET
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
    • Системы связи
    • Автомобили (электроника управления)
    • Информационные технологии (микросхемы)
Выбрано: Показать

Характеристики CSD1FNCHEVM-889

Техническая документация

CSD1FNCHEVM-889.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    17 563 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена CSD1FNCHEVM-889 при покупке от 1 шт 17563.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CSD1FNCHEVM-889 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CSD1FNCHEVM-889

CSD1FNCHEVM-889 Texas Instruments N-CHAN FEMTOFET MOSFET TEST EVM

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Технология: FET (FemtoFET)
    • Рабочее напряжение: до 5 В
    • Потребляемая мощность: низкая
    • Частота: до 20 МГц
  • Плюсы:
    • Низкое энергопотребление
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер
    • Устойчивость к шуму
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Ограниченная рабочая температура
    • Необходимо специальное оборудование для тестирования
  • Общее назначение:
    • Тестирование и анализ характеристик N-канальных MOSFET
    • Исследование новых технологий в области MOSFET
    • Демонстрация возможностей современных MOSFET
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
    • Системы связи
    • Автомобили (электроника управления)
    • Информационные технологии (микросхемы)
Выбрано: Показать

Характеристики CSD1FNCHEVM-889

Техническая документация

CSD1FNCHEVM-889.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории