DF2B18FU,H3F

DF2B18FU, H3F Toshiba Semiconductor and Storage TVS DIODE 12VWM 33VC USC

• Основные параметры:
• Максимальное напряжение разряда (V_BR): 18 V
• Максимальный ток разряда (I_SM): 120 kA
• Сопротивление при номинальном напряжении (R_ON): ≤ 33 Ω
• Тип устройства: TVS (Transient Voltage Suppression)
• Марка производителя: Toshiba
• Плюсы:
• Высокая способность сдерживать импульсные перенапряжения
• Короткое время реакции
• Малый размер и легкость интеграции в различные устройства
• Высокая надежность и долговечность
• Минусы:
• Низкий коэффициент защиты от постоянных перенапряжений
• При частых воздействиях могут происходить износы
• Общее назначение:
• Защита электронных компонентов от импульсных перенапряжений
• Обеспечение стабильной работы устройств в условиях электромагнитного шума
• Защита от ударных напряжений
• В каких устройствах применяется:
• Электронные устройства бытовой техники
• Автомобильная электроника
• Компьютерное оборудование
• Промышленное оборудование
• Радиоэлектронные устройства