Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
EC4401C-TL
EC4401C-TL

EC4401C-TL

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Sanyo
  • Артикул:
    EC4401C-TL
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4Все характеристики

Минимальная цена EC4401C-TL при покупке от 1514 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EC4401C-TL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EC4401C-TL

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    150mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7Ohm @ 80mA, 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.58 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    4-ECSP1008
  • Корпус
    4-UFDFN
  • Base Product Number
    EC4401
Техническая документация
 EC4401C-TL.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 20000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1514
    37 ₽

Минимально и кратно 1514 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Sanyo
  • Артикул:
    EC4401C-TL
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4Все характеристики

Минимальная цена EC4401C-TL при покупке от 1514 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EC4401C-TL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EC4401C-TL

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    150mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7Ohm @ 80mA, 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.58 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    4-ECSP1008
  • Корпус
    4-UFDFN
  • Base Product Number
    EC4401
Техническая документация
 EC4401C-TL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTLJS1102PTAGMOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
    56Кешбэк 8 баллов
    FDB6670ALMOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
    246Кешбэк 36 баллов
    SPB80N03S203GATMA1MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
    248Кешбэк 37 баллов
    SI7880ADP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    833Кешбэк 124 балла
    STD5NK50ZT4Транзистор: MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
    147Кешбэк 22 балла
    IXFR44N50PMOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
    3 024Кешбэк 453 балла
    IRFB7540PBFMOSFET N-CH 60V 110A TO220
    324Кешбэк 48 баллов
    DMN6075S-7Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    IPP028N08N3GXKSA1MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
    1 051Кешбэк 157 баллов
    BUK764R4-60E,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    511Кешбэк 76 баллов
    IRLML5203TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
    63Кешбэк 9 баллов
    STY60NK30ZMOSFET N-CH 300V 60A MAX247
    2 612Кешбэк 391 балл
    FDMS8460MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
    367Кешбэк 55 баллов
    SIA440DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
    107Кешбэк 16 баллов
    BSP315PH6327XTSA1MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
    168Кешбэк 25 баллов
    FDP16AN08A0MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
    157Кешбэк 23 балла
    NX3008NBKMB,315MOSFET N-CH 30V 530MA DFN1006B-3
    52Кешбэк 7 баллов
    BSC009NE2LS5ATMA1MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
    423Кешбэк 63 балла
    FCA35N60MOSFET N-CH 600V 35A TO3PN
    766Кешбэк 114 баллов
    IXTY8N65X2MOSFET N-CH 650V 8A TO252
    695Кешбэк 104 балла
    IRFR4104TRLPBFMOSFET N-CH 40V 42A DPAK
    487Кешбэк 73 балла
    NTD4813N-1GMOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
    48Кешбэк 7 баллов
    SCT2H12NZGC11Транзистор: SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
    1 285Кешбэк 192 балла
    APT56M50LMOSFET N-CH 500V 56A TO264
    1 971Кешбэк 295 баллов
    FDS2572MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    IRLIZ44GPBFMOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
    640Кешбэк 96 баллов
    TPS1101PWRMOSFET P-CH 15V 2.18A 16TSSOP
    442Кешбэк 66 баллов
    BUK9Y19-100E,115MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
    132Кешбэк 19 баллов
    NTR2101PT1GТранзистор: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
    23Кешбэк 3 балла
    STP5NK80ZMOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
    545Кешбэк 81 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП