Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDR840P
FDR840P

FDR840P

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FDR840P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8Все характеристики

Минимальная цена FDR840P при покупке от 304 шт 190.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDR840P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDR840P

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12mOhm @ 10A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4481 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-8
  • Корпус
    8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
  • В избранное
  • В сравнение
  • 291354 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 304
    190 ₽

Минимально и кратно 304 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FDR840P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8Все характеристики

Минимальная цена FDR840P при покупке от 304 шт 190.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDR840P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDR840P

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12mOhm @ 10A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4481 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-8
  • Корпус
    8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFD9014PBFMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
    372Кешбэк 55 баллов
    CSD17579Q3ATMOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
    204Кешбэк 30 баллов
    FQAF11N90CMOSFET N-CH 900V 7A TO3PF
    1 065Кешбэк 159 баллов
    FDMS7658ASMOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN
    106Кешбэк 15 баллов
    STFU13N65M2MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
    326Кешбэк 48 баллов
    IRF3710STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
    505Кешбэк 75 баллов
    NVMFS5C468NLT3GMOSFET N-CH 40V 5DFN
    139Кешбэк 20 баллов
    IPW60R060C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
    966Кешбэк 144 балла
    NDD04N50Z-1GMOSFET N-CH 500V 3A IPAK
    93Кешбэк 13 баллов
    IXTA3N120MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
    1 607Кешбэк 241 балл
    IRF9Z34NSTRLPBFMOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
    353Кешбэк 52 балла
    RJK0352DSP-00#J0MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
    162Кешбэк 24 балла
    FDS5690MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
    280Кешбэк 42 балла
    IPP80N06S2L07AKSA2MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    315Кешбэк 47 баллов
    PSMN2R5-30YL,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    386Кешбэк 57 баллов
    BUK7Y59-60EXMOSFET N-CH 60V 17A LFPAK56
    104Кешбэк 15 баллов
    STP10LN80K5MOSFET N-CH 800V 8A TO220
    789Кешбэк 118 баллов
    IRFI4110GPBFMOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP
    951Кешбэк 142 балла
    SIR172ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
    109Кешбэк 16 баллов
    SI2366DS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
    108Кешбэк 16 баллов
    IPI100N06S3L04XKMOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
    241Кешбэк 36 баллов
    SI2336DS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
    85Кешбэк 12 баллов
    STD10NM60NТранзистор: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
    461Кешбэк 69 баллов
    IRFI9530GPBFMOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3
    244Кешбэк 36 баллов
    FDMC86262PMOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
    225Кешбэк 33 балла
    BUK9535-100A,127MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB
    223Кешбэк 33 балла
    CSD18531Q5ATMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    282Кешбэк 42 балла
    IRFB4110PBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    465Кешбэк 69 баллов
    FQU10N20TUMOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
    141Кешбэк 21 балл
    FQI2N90TUMOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
    156Кешбэк 23 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП