Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FQD3N40TM
FQD3N40TM

FQD3N40TM

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FQD3N40TM
  • Описание:
    MOSFET N-CH 400V 2A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена FQD3N40TM при покупке от 781 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD3N40TM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQD3N40TM

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    230 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Техническая документация
 FQD3N40TM.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1367 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 781
    72 ₽

Минимально и кратно 781 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FQD3N40TM
  • Описание:
    MOSFET N-CH 400V 2A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена FQD3N40TM при покупке от 781 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD3N40TM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQD3N40TM

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    230 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Техническая документация
 FQD3N40TM.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF840PBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    DMN10H220L-13MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
    IRFS3607TRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
    IRFR9120NTRLPBFMOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    DN2530N8-GMOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
    NVTFS4C25NTAGMOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN
    DMNH4011SK3Q-13MOSFET N-CH 40V 50A TO252
    BSP89H6327XTSA1MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
    IXTX120N65X2MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
    FDMS8320LDCMOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
    DN2540N3-G-P003MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
    IRFH7936TRPBFIRFH7936 - N-CHANNEL
    RZQ045P01TRMOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
    TPH1R712MD,L1QMOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
    BSZ068N06NSATMA1MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
    BUK9Y59-60E,115MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56
    FDBL0240N100MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
    FDD8647LMOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
    NP82N04MDG-S18-AYMOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
    IXTP260N055T2MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB
    DMP3028LK3-13MOSFET P-CH 30V 27A TO252
    TPH2R608NH,L1QMOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
    IPI320N20N3GAKSA1MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
    STP33N60DM2MOSFET N-CH 600V 24A TO220
    BUK7M27-80EXMOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
    BUK7631-100E,118MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
    FQD2N50TFMOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
    RJK0853DPB-00#J5MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
    RJK0379DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
    IXKC20N60CMOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП