Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FQD5N50TM
FQD5N50TM

FQD5N50TM

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FQD5N50TM
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена FQD5N50TM при покупке от 213 шт 263.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD5N50TM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQD5N50TM

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8Ohm @ 1.75A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    610 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • В избранное
  • В сравнение
  • 21653 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 213
    263 ₽

Минимально и кратно 213 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FQD5N50TM
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена FQD5N50TM при покупке от 213 шт 263.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD5N50TM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQD5N50TM

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8Ohm @ 1.75A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    610 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TPH2900ENH,L1QMOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
    585Кешбэк 87 баллов
    STP18N65M2MOSFET N-CH 650V 12A TO220
    501Кешбэк 75 баллов
    STD26P3LLH6MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    IRF6648TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
    302Кешбэк 45 баллов
    SUP50020EL-GE3MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    686Кешбэк 102 балла
    HUFA75307T3STPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
    56Кешбэк 8 баллов
    FQPF9N50MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F
    209Кешбэк 31 балл
    TN0604N3-G-P005MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
    283Кешбэк 42 балла
    FDMS030N06BMOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
    695Кешбэк 104 балла
    PSMN2R0-25YLDXMOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
    203Кешбэк 30 баллов
    BUK9604-40A,118
    261Кешбэк 39 баллов
    IPI076N12N3GAKSA1MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
    722Кешбэк 108 баллов
    RCJ100N25TLMOSFET N-CH 250V 10A LPT
    311Кешбэк 46 баллов
    GKI07301MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN
    261Кешбэк 39 баллов
    RSR010N10TLMOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
    198Кешбэк 29 баллов
    IPB147N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK
    88Кешбэк 13 баллов
    FDMA410NZMOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
    190Кешбэк 28 баллов
    PSMN075-100MSEXТранзистор: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
    95Кешбэк 14 баллов
    TJ50S06M3L(T6L1,NQMOSFET P-CH 60V 50A DPAK
    503Кешбэк 75 баллов
    IPP60R125CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
    954Кешбэк 143 балла
    STW48N60M2MOSFET N-CH 600V 42A TO247
    1 114Кешбэк 167 баллов
    HUFA75343G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    250Кешбэк 37 баллов
    STP11NM60FDТранзистор: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
    804Кешбэк 120 баллов
    ZXMN20B28KTCMOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
    144Кешбэк 21 балл
    CPH3455-TL-WMOSFET N-CH 35V 3A 3CPH
    33.6Кешбэк 5 баллов
    HUF76439S3STТранзистор: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
    610Кешбэк 91 балл
    TPW4R50ANH,L1QMOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
    585Кешбэк 87 баллов
    IPD60R385CPATMA1MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
    420Кешбэк 63 балла
    FQT4N20LTFMOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
    155Кешбэк 23 балла
    HUFA75309D3SMOSFET N-CH 55V 19A TO252AA
    54Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП