Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
GA1L4M-T2-A

GA1L4M-T2-A

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    GA1L4M-T2-A
  • Описание:
    Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена GA1L4M-T2-A при покупке от 2184 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GA1L4M-T2-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GA1L4M-T2-A

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    95 @ 50mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70
  • 137415 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 2184
    26 ₽

Минимально и кратно 2184 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    GA1L4M-T2-A
  • Описание:
    Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена GA1L4M-T2-A при покупке от 2184 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GA1L4M-T2-A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GA1L4M-T2-A

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    95 @ 50mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем