Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
H11F1M

H11F1M

H11F1M
;
H11F1M

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена H11F1M при покупке от 1 шт 243.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить H11F1M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание H11F1M

H11F1M ON SEMICONDUCTOR OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

  • Основные параметры:
    • Размер: 6-DIP (двойной интегральный пакет)
    • Изолирующий напряжение: 7.5 кВ
    • Тип компонента: фото-FET (полупроводниковый транзистор)
    • Применяется для оптоизоляции сигналов
  • Плюсы:
    • Высокая изоляция от электрических шумов и помех
    • Устойчивость к электрическим разрядам
    • Малый размер и легкий монтаж
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами изолирующих устройств
    • Наличие дополнительного времени на реакцию из-за оптической передачи сигнала
  • Общее назначение:
    • Изолирование цифровых и аналоговых сигналов в различных приборах и системах
    • Защита от электрических разрядов и статического электричества
    • Уменьшение влияния электромагнитных полей на работу электронных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и энергетические системы
    • Промышленное оборудование
    • Коммуникационные системы
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики H11F1M

  • Количество каналов
    1
  • Изоляционное напряжение
    7500Vpk
  • Время включения / выключения (номинальное)
    45µs, 45µs (Max)
  • Тип входа
    DC
  • Тип выходного сигнала
    MOSFET
  • Выходное напряжение (Макс)
    30V
  • Прямое напряжение (Vf)
    1.3V
  • Прямой ток (If) (Max)
    60 mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 100°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    6-DIP
  • Base Product Number
    H11F1

Техническая документация

H11F1M.pdf
pdf. 0 kb
  • 905 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    243 ₽
  • 3
    226 ₽
  • 10
    207 ₽
  • 25
    187 ₽
  • 50
    176 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена H11F1M при покупке от 1 шт 243.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить H11F1M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание H11F1M

H11F1M ON SEMICONDUCTOR OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

  • Основные параметры:
    • Размер: 6-DIP (двойной интегральный пакет)
    • Изолирующий напряжение: 7.5 кВ
    • Тип компонента: фото-FET (полупроводниковый транзистор)
    • Применяется для оптоизоляции сигналов
  • Плюсы:
    • Высокая изоляция от электрических шумов и помех
    • Устойчивость к электрическим разрядам
    • Малый размер и легкий монтаж
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами изолирующих устройств
    • Наличие дополнительного времени на реакцию из-за оптической передачи сигнала
  • Общее назначение:
    • Изолирование цифровых и аналоговых сигналов в различных приборах и системах
    • Защита от электрических разрядов и статического электричества
    • Уменьшение влияния электромагнитных полей на работу электронных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и энергетические системы
    • Промышленное оборудование
    • Коммуникационные системы
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики H11F1M

  • Количество каналов
    1
  • Изоляционное напряжение
    7500Vpk
  • Время включения / выключения (номинальное)
    45µs, 45µs (Max)
  • Тип входа
    DC
  • Тип выходного сигнала
    MOSFET
  • Выходное напряжение (Макс)
    30V
  • Прямое напряжение (Vf)
    1.3V
  • Прямой ток (If) (Max)
    60 mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 100°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    6-DIP
  • Base Product Number
    H11F1

Техническая документация

H11F1M.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории