Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPD50N06S4L08ATMA1
IPD50N06S4L08ATMA1

IPD50N06S4L08ATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD50N06S4L08ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD50N06S4L08ATMA1 при покупке от 567 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD50N06S4L08ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPD50N06S4L08ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.8mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4780 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    71W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-11
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD50N
Техническая документация
 IPD50N06S4L08ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2268 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 567
    99 ₽

Минимально и кратно 567 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD50N06S4L08ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD50N06S4L08ATMA1 при покупке от 567 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD50N06S4L08ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPD50N06S4L08ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.8mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4780 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    71W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-11
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD50N
Техническая документация
 IPD50N06S4L08ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDMS8670ASMOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
    238Кешбэк 35 баллов
    STP13NM60NMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    886Кешбэк 132 балла
    BUK9Y65-100E,115MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56
    86Кешбэк 12 баллов
    AUIRFR4104AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    310Кешбэк 46 баллов
    NX7002BKSXMOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP
    45Кешбэк 6 баллов
    NDF10N60ZHMOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
    126Кешбэк 18 баллов
    NVMFS5C468NLT1GMOSFET N-CH 40V 5DFN
    135Кешбэк 20 баллов
    IXTA1R4N120PMOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
    1 248Кешбэк 187 баллов
    SI4122DY-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
    514Кешбэк 77 баллов
    STW13N80K5MOSFET N-CH 800V 12A TO247
    888Кешбэк 133 балла
    DMN3070SSN-7MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
    77Кешбэк 11 баллов
    IRFS3006TRLPBFMOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
    851Кешбэк 127 баллов
    RJK0352DSP-00#J0MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
    158Кешбэк 23 балла
    DMN1260UFA-7BMOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
    34Кешбэк 5 баллов
    FDMC86260MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
    297Кешбэк 44 балла
    TN2124K1-GТранзистор: MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
    161Кешбэк 24 балла
    SI2306BDS-T1-E3Транзистор: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    CSD18504Q5AТранзистор: MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
    272Кешбэк 40 баллов
    NTB27N06LT4MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
    92Кешбэк 13 баллов
    IPP120N04S402AKSA1MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
    608Кешбэк 91 балл
    DMG4413LSS-13MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
    173Кешбэк 25 баллов
    FQU20N06TUMOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
    101Кешбэк 15 баллов
    IXFH22N60PMOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
    1 697Кешбэк 254 балла
    STF10P6F6MOSFET P-CH 60V 10A TO220FP
    241Кешбэк 36 баллов
    IPI04N03LAТранзистор: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
    122Кешбэк 18 баллов
    DMN601WK-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
    24.4Кешбэк 3 балла
    IPP17N25S3100AKSA1MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3
    586Кешбэк 87 баллов
    PSMN1R3-30YL,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    458Кешбэк 68 баллов
    IRL1404ZPBFMOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
    503Кешбэк 75 баллов
    DMN3008SFG-7MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
    167Кешбэк 25 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП