Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRF830ASPBF
IRF830ASPBF

IRF830ASPBF

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRF830ASPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IRF830ASPBF при покупке от 1 шт 440.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF830ASPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF830ASPBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    620 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 74W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IRF830
Техническая документация
 IRF830ASPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 93 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    440 ₽
  • 50
    258 ₽
  • 100
    255 ₽
  • 500
    213 ₽
  • 1000
    197 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRF830ASPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IRF830ASPBF при покупке от 1 шт 440.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF830ASPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF830ASPBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    620 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 74W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IRF830
Техническая документация
 IRF830ASPBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTR4171PT1GMOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    PSMN0R7-25YLDXMOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
    316Кешбэк 47 баллов
    NTD4809NH-1GMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
    53Кешбэк 7 баллов
    DMN2005K-7MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
    85Кешбэк 12 баллов
    IXTT2N170D2MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
    5 922Кешбэк 888 баллов
    SI4850EY-T1-E3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
    324Кешбэк 48 баллов
    NTD4970NT4GMOSFET N-CH 30V 8.5A/36A DPAK
    90Кешбэк 13 баллов
    FQB19N20TMMOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
    538Кешбэк 80 баллов
    STD3NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
    316Кешбэк 47 баллов
    STD7LN80K5MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
    466Кешбэк 69 баллов
    FDZ193PMOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
    55Кешбэк 8 баллов
    TK12A60D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
    649Кешбэк 97 баллов
    FDAF69N25Транзистор: MOSFET N-CH 250V 34A TO3PF
    471Кешбэк 70 баллов
    SIHW47N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
    1 967Кешбэк 295 баллов
    TK60S06K3L(T6L1,NQMOSFET N-CH 60V 60A DPAK
    318Кешбэк 47 баллов
    CSD13201W10MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
    75Кешбэк 11 баллов
    APT18M100BMOSFET N-CH 1000V 18A TO247
    1 630Кешбэк 244 балла
    FDMS2508SDCMOSFET N-CH 25V 34A/49A DLCOOL56
    254Кешбэк 38 баллов
    IXFH50N85XMOSFET N-CH 850V 50A TO247
    2 954Кешбэк 443 балла
    FDMS86540MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
    273Кешбэк 40 баллов
    RQ3E100BNTBMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
    117Кешбэк 17 баллов
    IXFH74N20PMOSFET N-CH 200V 74A TO247AD
    1 455Кешбэк 218 баллов
    ZXMN2A02N8TAMOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
    380Кешбэк 57 баллов
    BUK9608-55B,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    561Кешбэк 84 балла
    STD7N60M2MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
    346Кешбэк 51 балл
    AON6242MOSFET N-CH 60V 18.5A/85A 8DFN
    563Кешбэк 84 балла
    IRL3803STRLPBFMOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
    346Кешбэк 51 балл
    NVMFS4C01NWFT1GMOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
    580Кешбэк 87 баллов
    FDMS030N06BMOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
    702Кешбэк 105 баллов
    STB28N65M2MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
    825Кешбэк 123 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП