Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXFH120N20P
IXFH120N20P

IXFH120N20P

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFH120N20P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 120A TO247ADВсе характеристики

Минимальная цена IXFH120N20P при покупке от 1 шт 2553.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFH120N20P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFH120N20P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    152 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    714W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AD (IXFH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXFH120
Техническая документация
 IXFH120N20P.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 586 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 553 ₽
  • 10
    1 588 ₽
  • 120
    1 374 ₽
  • 510
    1 372 ₽
  • 1020
    1 337 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFH120N20P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 120A TO247ADВсе характеристики

Минимальная цена IXFH120N20P при покупке от 1 шт 2553.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFH120N20P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFH120N20P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    152 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    714W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AD (IXFH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXFH120
Техническая документация
 IXFH120N20P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK754R3-40B,127MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
    216Кешбэк 32 балла
    NTGS3441T1GMOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
    126Кешбэк 18 баллов
    IPB100N10S305ATMA1MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
    1 192Кешбэк 178 баллов
    STP40NF10Транзистор: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
    402Кешбэк 60 баллов
    STW9NK90ZТранзистор: MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
    606Кешбэк 90 баллов
    NTMFS4120NT1GMOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
    120Кешбэк 18 баллов
    IXFH120N20PMOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
    2 553Кешбэк 382 балла
    IXFP76N15T2Транзистор: MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
    956Кешбэк 143 балла
    CSD18503Q5AMOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
    451Кешбэк 67 баллов
    STD60NF06T4MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
    437Кешбэк 65 баллов
    FDU8770MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
    278Кешбэк 41 балл
    FQB19N10LTMMOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
    137Кешбэк 20 баллов
    IPB120N03S4L03ATMA1MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
    289Кешбэк 43 балла
    FDD8876MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
    389Кешбэк 58 баллов
    SIR818DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    158Кешбэк 23 балла
    SI7149ADP-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
    311Кешбэк 46 баллов
    NVMFS5C450NT3G
    128Кешбэк 19 баллов
    DMS3015SSS-13MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
    133Кешбэк 19 баллов
    SI7145DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    293Кешбэк 43 балла
    IRF510STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    306Кешбэк 45 баллов
    IXTH140P10TMOSFET P-CH 100V 140A TO247
    3 590Кешбэк 538 баллов
    IRL7486MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
    199Кешбэк 29 баллов
    IPD60R2K1CEAUMA1MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
    116Кешбэк 17 баллов
    FDS4141MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
    340Кешбэк 51 балл
    RJK0854DPB-00#J5MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
    640Кешбэк 96 баллов
    AUIRF3007MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
    297Кешбэк 44 балла
    IXTH88N30PMOSFET N-CH 300V 88A TO247
    1 956Кешбэк 293 балла
    IRFH5020TRPBFMOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
    180Кешбэк 27 баллов
    IXFK44N50PMOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
    2 469Кешбэк 370 баллов
    IPB147N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK
    88Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП