Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MMBFJ310
MMBFJ310

MMBFJ310

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBFJ310
  • Описание:
    RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-Все характеристики

Минимальная цена MMBFJ310 при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ310 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ310

  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel JFET
    Тип транзистора N-Channel JFET
  • Частота
    450MHz
    Частота 450MHz
  • Усиление
    12dB
    Усиление 12dB
  • Тестовое напряжение
    10 V
    Тестовое напряжение 10 V
  • Current Rating (Amps)
    60mA
    Current Rating (Amps) 60mA
  • Уровень шума
    3dB
    Уровень шума 3dB
  • Тестовый ток
    10 mA
    Тестовый ток 10 mA
  • Нормальное напряжение
    25 V
    Нормальное напряжение 25 V
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
    Исполнение корпуса SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBFJ3
    Base Product Number MMBFJ3
Техническая документация
 MMBFJ310.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 56050 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    85 ₽
  • 1100
    87 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBFJ310
  • Описание:
    RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-Все характеристики

Минимальная цена MMBFJ310 при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ310 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ310

  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel JFET
    Тип транзистора N-Channel JFET
  • Частота
    450MHz
    Частота 450MHz
  • Усиление
    12dB
    Усиление 12dB
  • Тестовое напряжение
    10 V
    Тестовое напряжение 10 V
  • Current Rating (Amps)
    60mA
    Current Rating (Amps) 60mA
  • Уровень шума
    3dB
    Уровень шума 3dB
  • Тестовый ток
    10 mA
    Тестовый ток 10 mA
  • Нормальное напряжение
    25 V
    Нормальное напряжение 25 V
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
    Исполнение корпуса SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBFJ3
    Base Product Number MMBFJ3
Техническая документация
 MMBFJ310.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLM7G1822S-20PBGYRF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121
    BLF6G38LS-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502B
    MRF7S24250NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 30V OM780-2
    BLF8G24LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
    MRF8P8300HSR6Транзистор: FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S
    BLF6G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    BLF8G22LS-270UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    PD85035STR-EТранзистор: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    MRFE6VP6300HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
    BF1205,115Транзистор: FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP
    BLC8G27LS-100AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    ARF1500Транзистор: MOSFET RF N-CH 500V 60A T1
    MRF5S19060NBR1Транзистор: FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4
    MRF6V14300HSR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V NI-780S
    MRF6S20010NR1Транзистор: FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2
    AFT21S140W02SR3Транзистор
    MRF8P9040NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V TO272-4
    SD4933Транзистор: TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177
    BLF184XRGQТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    BLF8G27LS-150GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП