MMBZ33VALT1 от 18.5 ₽ доступно 13686 шт onsemi

MMBZ33VALT1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
onsemi
Артикул:
MMBZ33VALT1

Минимальная цена MMBZ33VALT1 при покупке от 3030 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBZ33VALT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBZ33VALT1

MMBZ33VALT1 onsemi — это полупроводниковый элемент, конкретно полупроводниковый разрядный транзистор N-канального типа (MOSFET).

Основные параметры:

Рейтинг напряжения на изоляции (V_DS(on)): 65 В
Рейтинг тока (I_D): 12 А
Коэффициент сопротивления при рабочем токе (R_DS(on)): 0,028 Ω

Плюсы:

Низкое сопротивление при рабочем токе, что обеспечивает минимальное энергетическое затраты и высокую эффективность работы.
Высокая скорость переключения, что важно для быстродействующих систем.
Низкий коэффициент теплового сопротивления, что способствует быстрой отдаче тепла и снижению температурного режима.

Минусы:

Требуется дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева при длительной работе.
Стоимость может быть выше по сравнению с традиционными транзисторами.

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управляемый поток электричества. Это включает в себя системы управления двигателем, инверторы, преобразователи питания, солнечные батареи и другие приборы.

Применяется в:

Автомобильной промышленности

Инверторах и преобразователях питания

Драйверах двигателей

Устройствах управления энергопотреблением

Техническая документация

MMBZ33VALT1.pdf
pdf. 0 kb

13686 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 3030 шт

Количество
Цена
3030
18.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
onsemi
Артикул:
MMBZ33VALT1

Описание MMBZ33VALT1

MMBZ33VALT1 onsemi — это полупроводниковый элемент, конкретно полупроводниковый разрядный транзистор N-канального типа (MOSFET).

Основные параметры:

Рейтинг напряжения на изоляции (V_DS(on)): 65 В
Рейтинг тока (I_D): 12 А
Коэффициент сопротивления при рабочем токе (R_DS(on)): 0,028 Ω

Плюсы:

Низкое сопротивление при рабочем токе, что обеспечивает минимальное энергетическое затраты и высокую эффективность работы.
Высокая скорость переключения, что важно для быстродействующих систем.
Низкий коэффициент теплового сопротивления, что способствует быстрой отдаче тепла и снижению температурного режима.

Минусы:

Требуется дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева при длительной работе.
Стоимость может быть выше по сравнению с традиционными транзисторами.

Применяется в:

Техническая документация

MMBZ33VALT1.pdf
pdf. 0 kb

MMBZ33VALT1

MMBZ33VALT1

Описание MMBZ33VALT1

Техническая документация

Описание MMBZ33VALT1

Техническая документация

Похожие товары

Похожие категории