Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF5S19060NBR1
MRF5S19060NBR1

MRF5S19060NBR1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Freescale Semiconductor
  • Артикул:
    MRF5S19060NBR1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4Все характеристики

Минимальная цена MRF5S19060NBR1 при покупке от 7 шт 9057.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF5S19060NBR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF5S19060NBR1

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.99GHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    750 mA
  • Мощность передачи
    12W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    TO-272BB
  • Исполнение корпуса
    TO-272 WB-4
  • Base Product Number
    MRF5
Техническая документация
 MRF5S19060NBR1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 332 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 7
    9 057 ₽

Минимально и кратно 7 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Freescale Semiconductor
  • Артикул:
    MRF5S19060NBR1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4Все характеристики

Минимальная цена MRF5S19060NBR1 при покупке от 7 шт 9057.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF5S19060NBR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF5S19060NBR1

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.99GHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    750 mA
  • Мощность передачи
    12W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    TO-272BB
  • Исполнение корпуса
    TO-272 WB-4
  • Base Product Number
    MRF5
Техническая документация
 MRF5S19060NBR1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    LET9060SТранзистор
    BLF6G22LS-40P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B
    BLF174XR,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A
    2SK3720-5-TB-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    MRF6VP2600HR5Транзистор: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
    MMRF1310HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780
    BLC9G20LS-361AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
    BLL8H0514L-130UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A
    BLF7G27L-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A
    BLF6G38S-25,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B
    BF1203,115Транзистор: FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP
    MMBF5484Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    BLC8G27LS-180AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753
    BLF10M6200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
    VRF151Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    MRF5S19060NBR1Транзистор: FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4
    CGH40025FТранзистор
    BLF7G22LS-250P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    PD55008-EТранзистор: FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
    PD57030-EТранзистор: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    BLC9G20LS-120VZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753
    A2I08H040GNR1Транзистор: IC RF LDMOS AMP
    MRF171AТранзистор: FET RF 65V 200MHZ 211-07
    PD57060S-EТранзистор: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    BLF6G38-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    CGHV27060MPТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
    ARF460BGТранзистор: FET RF N-CH 500V 14A TO247
    MMBF5485Транзистор: JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    BLF888DSUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП