Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
NTE108-1
NTE108-1

NTE108-1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE108-1
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO106Все характеристики

Минимальная цена NTE108-1 при покупке от 3 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE108-1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTE108-1

  • Тип транзистора
    NPN
    Тип транзистора NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    15V
    Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 15V
  • Трансформация частоты
    600MHz
    Трансформация частоты 600MHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    6dB @ 60MHz
    Уровень шума (дБ при f) 6dB @ 60MHz
  • Усиление
    15dB
    Усиление 15dB
  • Рассеивание мощности
    625mW
    Рассеивание мощности 625mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    20 @ 8mA, 10V
    Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
    Максимальный Ток Коллектора (Ic) 50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-106-3 Domed
    Корпус TO-106-3 Domed
  • Исполнение корпуса
    TO-106
    Исполнение корпуса TO-106
Техническая документация
 NTE108-1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Минимально и кратно 3 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NTE Electronics Inc
  • Артикул:
    NTE108-1
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO106Все характеристики

Минимальная цена NTE108-1 при покупке от 3 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTE108-1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTE108-1

  • Тип транзистора
    NPN
    Тип транзистора NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    15V
    Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 15V
  • Трансформация частоты
    600MHz
    Трансформация частоты 600MHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    6dB @ 60MHz
    Уровень шума (дБ при f) 6dB @ 60MHz
  • Усиление
    15dB
    Усиление 15dB
  • Рассеивание мощности
    625mW
    Рассеивание мощности 625mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    20 @ 8mA, 10V
    Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
    Максимальный Ток Коллектора (Ic) 50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-106-3 Domed
    Корпус TO-106-3 Domed
  • Исполнение корпуса
    TO-106
    Исполнение корпуса TO-106
Техническая документация
 NTE108-1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MPS5179RLRPSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    2N5179 PBFREEТранзистор: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72
    NTE2501Транзистор: RF TRANS NPN 300V 70MHZ TO126
    BFR740L3RHE6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
    NTE224Транзистор: RF TRANS NPN 60V 300MHZ TO39
    NTE108Транзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92
    BFR360L3E6765XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1
    BFP183E7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    NTE295Транзистор: RF TRANS NPN 75V 250MHZ TO126
    MT3S113P(TE12L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
    HFA3127MJ/883Транзистор: DUAL MARKED (5962-9474901MEA)
    BFR181E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    SS9018HBU-FSТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    MT3S113TU,LFТранзистор: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
    NTE108-1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO106
    NTE2402Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23
    MMBTH10Q-7-FТранзистор: RF TRANSISTOR SOT23
    BFU668F,115Транзистор: TRANSISTOR NPN SOT343F
    PN3563 PBFREEТранзистор: RF TRANS NPN 12V TO92
    NTE2633T-NPN SI VIDEO DR 1GHZ TO-126

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП