Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NTMFS4833NAT1G
NTMFS4833NAT1G

NTMFS4833NAT1G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS4833NAT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS4833NAT1G при покупке от 145 шт 384.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS4833NAT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS4833NAT1G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Ta), 191A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150 nC @ 11.5 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7500 pF @ 12 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS4833
Техническая документация
 NTMFS4833NAT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 16335 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 145
    384 ₽

Минимально и кратно 145 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NTMFS4833NAT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFNВсе характеристики

Минимальная цена NTMFS4833NAT1G при покупке от 145 шт 384.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTMFS4833NAT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTMFS4833NAT1G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Ta), 191A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150 nC @ 11.5 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7500 pF @ 12 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Base Product Number
    NTMFS4833
Техническая документация
 NTMFS4833NAT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSP295H6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
    188Кешбэк 28 баллов
    IPD031N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    125Кешбэк 18 баллов
    FQPF3N60MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
    112Кешбэк 16 баллов
    IPB011N04NGATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    928Кешбэк 139 баллов
    STP60NF06LMOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
    500Кешбэк 75 баллов
    PSMN017-60YS,115MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
    168Кешбэк 25 баллов
    SIHF18N50D-E3
    692Кешбэк 103 балла
    IRF6726MTRPBFMOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    317Кешбэк 47 баллов
    SIS435DNT-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
    116Кешбэк 17 баллов
    FQPF8N60CFTMOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
    526Кешбэк 78 баллов
    SIHH21N60E-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8
    938Кешбэк 140 баллов
    IXTP6N50D2MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
    1 839Кешбэк 275 баллов
    DMP1011UCB9-7MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
    151Кешбэк 22 балла
    NX3020NAKW,115MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    PHD71NQ03LT,118TRANSISTOR >30MHZ
    84Кешбэк 12 баллов
    SCH1430-TL-HMOSFET N-CH 20V 2A 6SCH
    28Кешбэк 4 балла
    FCP650N80ZMOSFET N-CH 800V 10A TO220
    274Кешбэк 41 балл
    NTD23N03RT4MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
    26Кешбэк 3 балла
    STU2N62K3MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
    339Кешбэк 50 баллов
    RS1G150MNTBТранзистор: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
    177Кешбэк 26 баллов
    STL11N65M5MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
    270Кешбэк 40 баллов
    CSD18504KCSMOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
    436Кешбэк 65 баллов
    NVD4808NT4G
    47Кешбэк 7 баллов
    IRFS4227TRLPBFMOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
    543Кешбэк 81 балл
    NTGS4141NT1GMOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
    33.6Кешбэк 5 баллов
    FDA59N30Транзистор: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
    1 099Кешбэк 164 балла
    AO3413MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3L
    82Кешбэк 12 баллов
    PMZ200UNEYLMOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
    65Кешбэк 9 баллов
    RFD4N06LSM9AMOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
    129Кешбэк 19 баллов
    RJJ0315DPA-00#J5AMOSFET P-CH 30V 35A
    252Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП