P02SCT3040KR-EVK-001

P02SCT3040KR-EVK-001 ROHM Semiconductor SIC MOSFET EVALUATION BOARD

• Основные параметры:
  • Тип: EVB (Evaluation Board)
  • Модель MOSFET: P02SCT3040KR
  • Производитель: ROHM Semiconductor
  • Технология: SiC (Silicon Carbide)
  • Размеры: 105 x 70 mm
  • Рабочее напряжение: до 1200 В
  • Размер тока: до 85 А
• Плюсы:
  • Возможность тестирования и оценки характеристик MOSFET
  • Поддержка различных приложений благодаря широкому диапазону рабочих условий
  • Простота использования благодаря встроенным инструментам и мониторингу
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными EVBs
  • Необходимость специализированного оборудования для тестирования
• Общее назначение:
  • Тестирование и оценка производительности MOSFET P02SCT3040KR
  • Исследование возможностей SiC MOSFET в различных приложениях
  • Проектирование и разработка новых устройств с использованием SiC MOSFET
• В каких устройствах применяется:
  • Системы управления энергоснабжением
  • Автомобильные системы питания
  • Промышленные преобразователи
  • Системы хранения энергии