Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
PHK04P02T,518
PHK04P02T,518

PHK04P02T,518

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PHK04P02T,518
  • Описание:
    TRANSISTORS>100MHZВсе характеристики

Минимальная цена PHK04P02T,518 при покупке от 1021 шт 54.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PHK04P02T,518 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PHK04P02T,518

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
    Тип полевого транзистора P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
    Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    16 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 16 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.66A (Tc)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120mOhm @ 1A, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    600mV @ 1mA (Typ)
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 600mV @ 1mA (Typ)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.2 nC @ 4.5 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
    Vgs (Max) ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    528 pF @ 12.8 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 528 pF @ 12.8 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Tc)
    Рассеивание мощности (Макс) 5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
    Вид монтажа Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
    Исполнение корпуса 8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Техническая документация
 PHK04P02T,518.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 574713 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1021
    54 ₽

Минимально и кратно 1021 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PHK04P02T,518
  • Описание:
    TRANSISTORS>100MHZВсе характеристики

Минимальная цена PHK04P02T,518 при покупке от 1021 шт 54.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PHK04P02T,518 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PHK04P02T,518

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
    Тип полевого транзистора P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
    Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    16 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 16 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.66A (Tc)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120mOhm @ 1A, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    600mV @ 1mA (Typ)
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 600mV @ 1mA (Typ)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.2 nC @ 4.5 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
    Vgs (Max) ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    528 pF @ 12.8 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 528 pF @ 12.8 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Tc)
    Рассеивание мощности (Макс) 5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
    Вид монтажа Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
    Исполнение корпуса 8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Техническая документация
 PHK04P02T,518.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN63D8L-13MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23-3
    AO7405MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-6
    BUK7M15-60EXMOSFET N-CH 60V 42.9A LFPAK33
    DMN2020UFCL-7MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
    NTD4855NT4GMOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK
    STF38N65M5MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
    SFM9014TFMOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223-4
    SI2329DS-T1-GE3MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
    TP2540N3-GMOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3
    HUFA75343G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    SI4840BDY-T1-E3MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
    SUD23N06-31L-T4-E3MOSFET N-CH 60V TO252
    RE1C002UNTCLТранзистор: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
    NVD5890NT4GMOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
    LND01K1-GТранзистор: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
    SI1013CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
    FCA20N60FMOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
    STW28N65M2MOSFET N-CH 650V 20A TO247
    SI3460BDV-T1-E3MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
    RSQ015N06TRMOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
    SI4447DY-T1-E3MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
    FDS7088N3MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
    IXTK120P20TMOSFET P-CH 200V 120A TO264
    FCH070N60EMOSFET N-CH 600V 52A TO247
    IPP100N08S2L07AKSA1MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
    SIB441EDK-T1-GE3MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
    IXTA1N170DHVТранзистор: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
    STQ1NK60ZR-APMOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
    BSO065N03MSGXUMA1
    MCH5839-TL-HMOSFET P-CH 20V 1.5A 5MCPH

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП