Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

PSMN1R3-30YL,115

PSMN1R3-30YL,115

PSMN1R3-30YL,115

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Nexperia
Артикул:
PSMN1R3-30YL,115
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56Все характеристики

Минимальная цена PSMN1R3-30YL,115 при покупке от 1 шт 461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN1R3-30YL,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики PSMN1R3-30YL,115

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6227 pF @ 12 V
Рассеивание мощности (Макс)
121W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
LFPAK56; Power-SO8
Корпус
SOT-1023, 4-LFPAK
Base Product Number
PSMN1R3

Техническая документация

PSMN1R3-30YL,115.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

1535 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
461 ₽
10
333 ₽
100
250 ₽
500
229 ₽
1000
212 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Nexperia
Артикул:
PSMN1R3-30YL,115
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56Все характеристики

Минимальная цена PSMN1R3-30YL,115 при покупке от 1 шт 461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN1R3-30YL,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики PSMN1R3-30YL,115

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6227 pF @ 12 V
Рассеивание мощности (Макс)
121W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
LFPAK56; Power-SO8
Корпус
SOT-1023, 4-LFPAK
Base Product Number
PSMN1R3

Техническая документация

PSMN1R3-30YL,115.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

FQPF2N30 MOSFET N-CH 300V 1.34A TO220F

72Кешбэк 10 баллов

PMPB43XPE,115 MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6

119Кешбэк 17 баллов

SI4421DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 10A 8SO

603Кешбэк 90 баллов

IRFP450APBF Транзистор: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

790Кешбэк 118 баллов

STH12N120K5-2 MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

2 260Кешбэк 339 баллов

BUK9Y19-55B,115 MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56

221Кешбэк 33 балла

TP0606N3-G MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3

210Кешбэк 31 балл

IRFH8303TRPBF MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN

347Кешбэк 52 балла

STD2HNK60Z Транзистор: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

119Кешбэк 17 баллов

STD7N80K5 MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

391Кешбэк 58 баллов

PSMN009-100P,127 MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

280Кешбэк 42 балла

STD4NK80Z-1 MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

526Кешбэк 78 баллов

SI7613DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

236Кешбэк 35 баллов

SI1480DH-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6

53Кешбэк 7 баллов

IRFB3207PBF MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

509Кешбэк 76 баллов

FDD6770A 24A, 25V, 0.004OHM, N-CHANNEL ,

212Кешбэк 31 балл

IRF9Z34NPBF MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

217Кешбэк 32 балла

STU2N80K5 Транзистор: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

337Кешбэк 50 баллов

STL66N3LLH5 MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT

397Кешбэк 59 баллов

FDD6680A MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK

329Кешбэк 49 баллов

IRFS4115TRL7PP MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK

388Кешбэк 58 баллов

FDMC8588DC POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

202Кешбэк 30 баллов

FQU2N80TU MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK

147Кешбэк 22 балла

TP2104K1-G MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB

153Кешбэк 22 балла

FDMC8878 MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP

363Кешбэк 54 балла

195Кешбэк 29 баллов

IXTH48N65X2 MOSFET N-CH 650V 48A TO247

1 916Кешбэк 287 баллов

BUK9Y30-75B,115 MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56

233Кешбэк 34 балла

BSS138NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

45Кешбэк 6 баллов

NTP5426NG MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

284Кешбэк 42 балла

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Триодные тиристоры - Модули

Принадлежности

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Полевые транзисторы - Сборки

Тиристоры - TRIACs

Биполярные транзисторы - Сборки

Диодные мосты - Модули

Высокочастотные диоды

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Тиристоры - SCR

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Модули драйверов питания

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Транзисторы - программируемые однопереходные

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - IGBT - одиночные

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - IGBT - модули

Диоды выпрямительные - Модули

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - Модули

Программируемые однопереходные транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Варикапы и Варакторы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Тиристоры - SCR - модули

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Транзисторы - JFET

IGBT транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные

Высокочастотные биполярные транзисторы

Диодные мосты

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диоды - мостовые выпрямители

Диоды силовые

Полевые транзисторы - Модули

Симисторы

Драйверы питания - Модули

Полевые транзисторы - Одиночные

Симисторы - Модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали