Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

PSMN7R8-120ESQ

PSMN7R8-120ESQ

PSMN7R8-120ESQ

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
NXP USA Inc.
Артикул:
PSMN7R8-120ESQ
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Все характеристики

Минимальная цена PSMN7R8-120ESQ при покупке от 228 шт 246.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN7R8-120ESQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики PSMN7R8-120ESQ

Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9473 pF @ 60 V
Рассеивание мощности (Макс)
349W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
I2PAK
Корпус
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Base Product Number
PSMN7R8

Техническая документация

PSMN7R8-120ESQ.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

430 шт
3-6 недель

Количество
Цена
228
246 ₽

Минимально и кратно 228 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
NXP USA Inc.
Артикул:
PSMN7R8-120ESQ
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Все характеристики

Минимальная цена PSMN7R8-120ESQ при покупке от 228 шт 246.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN7R8-120ESQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики PSMN7R8-120ESQ

Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9473 pF @ 60 V
Рассеивание мощности (Макс)
349W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
I2PAK
Корпус
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Base Product Number
PSMN7R8

Техническая документация

PSMN7R8-120ESQ.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

MCH3374-TL-E MOSFET P-CH 12V 3A SC70FL/MCPH3

73Кешбэк 10 баллов

DMN6040SK3-13 MOSFET N CH 60V 20A TO252

113Кешбэк 16 баллов

IXTH130N10T MOSFET N-CH 100V 130A TO247

1 419Кешбэк 212 баллов

FDD068AN03L MOSFET N-CH 30V 17A/35A TO252AA

186Кешбэк 27 баллов

IXTH20P50P MOSFET P-CH 500V 20A TO247

2 388Кешбэк 358 баллов

HUF75631S3ST MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

464Кешбэк 69 баллов

RCJ160N20TL MOSFET N-CH 200V 16A LPTS

324Кешбэк 48 баллов

TK100A10N1,S4X MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS

932Кешбэк 139 баллов

IXTH110N10L2 MOSFET N-CH 100V 110A TO247

3 573Кешбэк 535 баллов

IRLS3036TRLPBF Транзистор: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

764Кешбэк 114 баллов

PMV42ENER MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB

73Кешбэк 10 баллов

IXFK100N65X2 MOSFET N-CH 650V 100A TO264

3 593Кешбэк 538 баллов

IPD60R600P6ATMA1 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

268Кешбэк 40 баллов

PSMN1R9-40PLQ MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

871Кешбэк 130 баллов

PSMN1R4-40YLDX MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

317Кешбэк 47 баллов

RCX330N25 Транзистор: MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM

729Кешбэк 109 баллов

FDMC7672S MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP

231Кешбэк 34 балла

STD11N65M5 MOSFET N CH 650V 9A DPAK

418Кешбэк 62 балла

IPD70N10S3L12ATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3

442Кешбэк 66 баллов

IXTP170N075T2 MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

819Кешбэк 122 балла

ZXMP10A13FTA MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3

134Кешбэк 20 баллов

ZXMN7A11KTC Транзистор: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3

172Кешбэк 25 баллов

FCP130N60 MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3

548Кешбэк 82 балла

STF21N65M5 MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP

979Кешбэк 146 баллов

IRF7480MTRPBF MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET

375Кешбэк 56 баллов

IRF740LCPBF Транзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

636Кешбэк 95 баллов

STD5N95K3 MOSFET N-CH 950V 4A DPAK

311Кешбэк 46 баллов

BUK7M67-60EX MOSFET N-CH 60V 14A LFPAK33

110Кешбэк 16 баллов

SI3460DDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP

91Кешбэк 13 баллов

SI4430BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

459Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали