Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RN1131MFV(TL3,T)

RN1131MFV(TL3,T)

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    RN1131MFV(TL3,T)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMВсе характеристики

Минимальная цена RN1131MFV(TL3,T) при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1131MFV(TL3,T) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RN1131MFV(TL3,T)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Base Product Number
    RN1131
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    RN1131MFV(TL3,T)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMВсе характеристики

Минимальная цена RN1131MFV(TL3,T) при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1131MFV(TL3,T) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RN1131MFV(TL3,T)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Base Product Number
    RN1131

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории