Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
RS1AL R3G
RS1AL R3G

RS1AL R3G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Артикул:
    RS1AL R3G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMAВсе характеристики

Минимальная цена RS1AL R3G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RS1AL R3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RS1AL R3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
    Тип диода Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
    Максимальное обратное напряжение (Vr) 50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    800mA
    Cреднее значение выпрямленного тока (Io) 800mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 800 mA
    Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1.3 V @ 800 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Скорость Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    150 ns
    Время восстановления запорного слоя (trr) 150 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
    Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 5 &#181;A @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
    Емкость @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
    Вид монтажа Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
    Корпус DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    Sub SMA
    Исполнение корпуса Sub SMA
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
    Рабочая температура pn-прехода -55&#176;C ~ 150&#176;C
  • Base Product Number
    RS1A
    Base Product Number RS1A
Техническая документация
 RS1AL R3G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    RS1AL R3G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMAВсе характеристики

Минимальная цена RS1AL R3G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RS1AL R3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RS1AL R3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel&#174;
  • Тип диода
    Standard
    Тип диода Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
    Максимальное обратное напряжение (Vr) 50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    800mA
    Cреднее значение выпрямленного тока (Io) 800mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 800 mA
    Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1.3 V @ 800 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Скорость Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    150 ns
    Время восстановления запорного слоя (trr) 150 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
    Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 5 &#181;A @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
    Емкость @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
    Вид монтажа Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
    Корпус DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    Sub SMA
    Исполнение корпуса Sub SMA
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
    Рабочая температура pn-прехода -55&#176;C ~ 150&#176;C
  • Base Product Number
    RS1A
    Base Product Number RS1A
Техническая документация
 RS1AL R3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DSS6-015AS-TRLDIODE SCHOTTKY 150V 6A TO252AA
    PMEG60T50ELP60 V, 5 A LOW LEAKAGE CURRENT TR
    VS-65APS16LHM3DIODES - TO-247-E3
    CUHS20S30,H3FSCHOTTKY BARRIER DIODE, LOW VF,
    HS1ML RVGDIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
    ESH3C R7GDIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
    CMR2U-02 BK PBFREEDIODE GEN PURP 200V 2A SMB
    STTH30RQ06DYДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
    HVP15DIODE GEN PURP 15000V 750MA HVP
    SMBT1232LT1GSS SOT23 GP XSTR SPCL TR
    1N1194R20 AMP SILICON RECTIFIER DO-5
    UF5401GP-TPDIODE GP 100V 3A DO201AD
    B0520LWF RHGDIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F
    RURG8040RECTIFIER DIODE
    MR1122DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    MURB3J_R1_00001SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
    EAL1AДиод: DIODE SFR DO-213AA 50V 1A
    PMEG4010CEGWJDIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
    SF68G R0GDIODE GEN PURP 600V 6A DO201AD
    RB421DFHT146ROHM'S SCHOTTKY BARRIER DIODES A

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП