Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI7106DN-T1-GE3
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI7106DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7106DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7106DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI7106DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7106
Техническая документация
 SI7106DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 23235 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    461 ₽
  • 10
    310 ₽
  • 100
    225 ₽
  • 500
    206 ₽
  • 1000
    188 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI7106DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7106DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7106DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI7106DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7106
Техническая документация
 SI7106DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STP28N65M2Транзистор: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
    666Кешбэк 99 баллов
    IRF740LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
    649Кешбэк 97 баллов
    STD16N60M2MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
    165Кешбэк 24 балла
    RDD050N20TLMOSFET N-CH 200V 5A CPT3
    421Кешбэк 63 балла
    FDS6064N3MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
    316Кешбэк 47 баллов
    IRFU1205PBFHEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
    250Кешбэк 37 баллов
    IRFB7734PBFMOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
    434Кешбэк 65 баллов
    ZXMP6A13GTAMOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
    133Кешбэк 19 баллов
    DMN63D8LW-13MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
    26.6Кешбэк 3 балла
    IRFI630GPBFMOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
    247Кешбэк 37 баллов
    FDMC86340MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
    303Кешбэк 45 баллов
    SI7174DP-T1-GE3MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
    790Кешбэк 118 баллов
    IXTT48P20PMOSFET P-CH 200V 48A TO268
    2 635Кешбэк 395 баллов
    SI1022R-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
    175Кешбэк 26 баллов
    IRF5210PBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
    577Кешбэк 86 баллов
    NTMFS4839NHT1GMOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
    82Кешбэк 12 баллов
    ZXMN4A06KTCMOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
    255Кешбэк 38 баллов
    DMN601TK-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
    53Кешбэк 7 баллов
    FDMS7680MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
    82Кешбэк 12 баллов
    NTD23N03RT4MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
    26.6Кешбэк 3 балла
    IRFB7434PBFMOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
    563Кешбэк 84 балла
    SPD04P10PLGBTMA1MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
    240Кешбэк 36 баллов
    TPH2R608NH,L1QMOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
    346Кешбэк 51 балл
    IRFL4310TRPBFMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
    199Кешбэк 29 баллов
    DMN63D8LW-7MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
    38Кешбэк 5 баллов
    STD100N10F7MOSFET N CH 100V 80A DPAK
    426Кешбэк 63 балла
    IXFK200N10PMOSFET N-CH 100V 200A TO264AA
    3 447Кешбэк 517 баллов
    FDS4080N3MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
    360Кешбэк 54 балла
    DMTH6005LPS-13MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
    276Кешбэк 41 балл
    NTMFS4C59NT1GMOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
    101Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП