Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI7139DP-T1-GE3
SI7139DP-T1-GE3

SI7139DP-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7139DP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7139DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 385.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7139DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI7139DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    146 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4230 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Ta), 48W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SI7139
Техническая документация
 SI7139DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 5045 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    385 ₽
  • 10
    255 ₽
  • 100
    172 ₽
  • 1000
    130 ₽
  • 6000
    106 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7139DP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7139DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 385.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7139DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI7139DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    146 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4230 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Ta), 48W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SI7139
Техническая документация
 SI7139DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TPN1600ANH,L1QMOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
    IRFS4228PBFMOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
    PMPB20XPE,115MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
    IRLR2905ZTRPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    STP20NM60FDMOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
    FQP630MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
    NTLJS3113PTAGMOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
    FDMC0310ASMOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
    SI4166DY-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
    IRF740ASTRLPBFMOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
    FDMS86263PMOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
    IPA60R165CPMOSFET N-CH 600V 21A TO220
    FQPF46N15MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
    IXFR26N100PMOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
    IRFB3806PBFMOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
    FQP13N06LMOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
    HUFA76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
    AO4430MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
    BSZ180P03NS3EGATMA1MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
    TK4A60D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
    IRFP264PBFТранзистор: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
    IXTH6N120MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
    PMN40UPE,115MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
    RUF025N02TLMOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
    SIHB15N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
    FQU1N80TUMOSFET N-CH 800V 1A I-PAK
    IPI60R299CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
    RSU002N06T106MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3
    IRL3705NPBFMOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
    NTMS7N03R2MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП