SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3

Минимальная цена SI7850DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 379 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7850DP-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI7850DP-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22mOhm @ 10.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SI7850
Техническая документация
 3589740.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    379
  • 10+
    333
  • 25+
    304
  • 100+
    253
  • 250+
    227

Минимально и кратно 1 шт