Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI823H3BD-IS3

SI823H3BD-IS3

SI823H3BD-IS3
;
SI823H3BD-IS3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI823H3BD-IS3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI823H3BD-IS3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI823H3BD-IS3

  • Package
    Tube
  • Технология
    Capacitive Coupling
  • Количество каналов
    1
  • Изоляционное напряжение
    5000Vrms
  • Помехоустойчивость (Мин)
    125kV/µs
  • Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)
    116ns, 116ns
  • Искажение длительности импульса (Макс)
    5ns
  • Время нарастания / Время затухания (Номинальное)
    12ns, 12ns (Max)
  • Ток выхода высокий уровень, низкий уровень
    4A, 4A
  • Повторяющийся импульсный ток
    6A
  • Voltage - Output Supply
    5.5V ~ 30V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Исполнение корпуса
    14-SOIC
  • Approval Agency
    CQC, CSA, UL, VDE
  • Base Product Number
    SI823

Техническая документация

SI823H3BD-IS3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI823H3BD-IS3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI823H3BD-IS3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI823H3BD-IS3

  • Package
    Tube
  • Технология
    Capacitive Coupling
  • Количество каналов
    1
  • Изоляционное напряжение
    5000Vrms
  • Помехоустойчивость (Мин)
    125kV/µs
  • Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)
    116ns, 116ns
  • Искажение длительности импульса (Макс)
    5ns
  • Время нарастания / Время затухания (Номинальное)
    12ns, 12ns (Max)
  • Ток выхода высокий уровень, низкий уровень
    4A, 4A
  • Повторяющийся импульсный ток
    6A
  • Voltage - Output Supply
    5.5V ~ 30V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Исполнение корпуса
    14-SOIC
  • Approval Agency
    CQC, CSA, UL, VDE
  • Base Product Number
    SI823

Техническая документация

SI823H3BD-IS3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории