Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI8275DA-IM1

SI8275DA-IM1

SI8275DA-IM1
;
SI8275DA-IM1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI8275DA-IM1 при покупке от 1 шт 980.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI8275DA-IM1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI8275DA-IM1

SI8275DA-IM1 — это полупроводниковый интегральный каскадный дренажный MOSFET от компании Skyworks Solutions Inc., предназначенный для использования в высоковольтных приложениях.

  • Основные параметры:
    • Размеры пакета: Dual Gate
    • Рейтинг напряжения: 2.5 кВ
    • Номинальная токовая способность: 4 А
    • CMTI (Common Mode Transient Immunity): 2.5 кВ
  • Плюсы:
    • Высокая стойкость к кавитационным импульсам
    • Эффективное управление током
    • Малый размер и вес
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее сложными решениями
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания и преобразования напряжения
    • Работа в высоковольтных сетях
    • Применение в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы энергоснабжения
    • Мобильные устройства с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики SI8275DA-IM1

  • Технология
    Capacitive Coupling
  • Количество каналов
    2
  • Изоляционное напряжение
    2500Vrms
  • Помехоустойчивость (Мин)
    150kV/µs
  • Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)
    60ns, 60ns
  • Искажение длительности импульса (Макс)
    8ns
  • Время нарастания / Время затухания (Номинальное)
    10.5ns, 13.3ns
  • Ток выхода высокий уровень, низкий уровень
    1.8A, 4A
  • Повторяющийся импульсный ток
    4A
  • Voltage - Output Supply
    4.2V ~ 30V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    14-VDFN
  • Исполнение корпуса
    14-QFN (5x5)
  • Approval Agency
    CQC, CSA, UL, VDE
  • Base Product Number
    SI8275

Техническая документация

SI8275DA-IM1.pdf
pdf. 0 kb
  • 23 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    980 ₽
  • 10
    748 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI8275DA-IM1 при покупке от 1 шт 980.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI8275DA-IM1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI8275DA-IM1

SI8275DA-IM1 — это полупроводниковый интегральный каскадный дренажный MOSFET от компании Skyworks Solutions Inc., предназначенный для использования в высоковольтных приложениях.

  • Основные параметры:
    • Размеры пакета: Dual Gate
    • Рейтинг напряжения: 2.5 кВ
    • Номинальная токовая способность: 4 А
    • CMTI (Common Mode Transient Immunity): 2.5 кВ
  • Плюсы:
    • Высокая стойкость к кавитационным импульсам
    • Эффективное управление током
    • Малый размер и вес
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее сложными решениями
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания и преобразования напряжения
    • Работа в высоковольтных сетях
    • Применение в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы энергоснабжения
    • Мобильные устройства с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики SI8275DA-IM1

  • Технология
    Capacitive Coupling
  • Количество каналов
    2
  • Изоляционное напряжение
    2500Vrms
  • Помехоустойчивость (Мин)
    150kV/µs
  • Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)
    60ns, 60ns
  • Искажение длительности импульса (Макс)
    8ns
  • Время нарастания / Время затухания (Номинальное)
    10.5ns, 13.3ns
  • Ток выхода высокий уровень, низкий уровень
    1.8A, 4A
  • Повторяющийся импульсный ток
    4A
  • Voltage - Output Supply
    4.2V ~ 30V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    14-VDFN
  • Исполнение корпуса
    14-QFN (5x5)
  • Approval Agency
    CQC, CSA, UL, VDE
  • Base Product Number
    SI8275

Техническая документация

SI8275DA-IM1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории