Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SISS23DN-T1-GE3
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SISS23DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8SВсе характеристики

Минимальная цена SISS23DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 183.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS23DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SISS23DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5mOhm @ 20A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    300 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8840 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4.8W (Ta), 57W (Tc)
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8S
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8S
  • Base Product Number
    SISS23
Техническая документация
 SISS23DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1782 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    183 ₽
  • 100
    98 ₽
  • 1000
    70 ₽
  • 6000
    56 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SISS23DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8SВсе характеристики

Минимальная цена SISS23DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 183.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS23DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SISS23DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5mOhm @ 20A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    300 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8840 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4.8W (Ta), 57W (Tc)
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8S
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8S
  • Base Product Number
    SISS23
Техническая документация
 SISS23DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TK100A10N1,S4XMOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
    932Кешбэк 139 баллов
    SUM60030E-GE3MOSFET N-CH 80V 120A TO263
    753Кешбэк 112 баллов
    SIA414DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
    270Кешбэк 40 баллов
    FQPF7N20LMOSFET N-CH 200V 5A TO220F
    76Кешбэк 11 баллов
    FQA90N08MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN
    833Кешбэк 124 балла
    IRF624PBFMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
    371Кешбэк 55 баллов
    IRFU9024NPBFMOSFET P-CH 55V 11A IPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    CSD17579Q3ATMOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
    194Кешбэк 29 баллов
    SIRA02DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    246Кешбэк 36 баллов
    HUF76423D3MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    SIHG25N40D-GE3MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
    867Кешбэк 130 баллов
    SPA15N60C3XKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
    776Кешбэк 116 баллов
    FQP6N40CMOSFET N-CH 400V 6A TO220-3
    145Кешбэк 21 балл
    RCD051N20TLMOSFET N-CH 200V 5A CPT3
    165Кешбэк 24 балла
    RQ1C075UNTRMOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
    170Кешбэк 25 баллов
    TN2504N8-GТранзистор: MOSFET N-CH 40V 890MA TO243AA
    257Кешбэк 38 баллов
    CSD18509Q5BMOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
    584Кешбэк 87 баллов
    FQD10N20CTMMOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
    420Кешбэк 63 балла
    IPP032N06N3GXKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    505Кешбэк 75 баллов
    STD2N62K3MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
    393Кешбэк 58 баллов
    IXFA20N50P3MOSFET N-CH 500V 20A TO263
    636Кешбэк 95 баллов
    BUK9Y40-55B,115MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56
    315Кешбэк 47 баллов
    IXTH96N25TMOSFET N-CH 250V 96A TO247
    1 402Кешбэк 210 баллов
    SI4800BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
    89Кешбэк 13 баллов
    STL31N65M5MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
    571Кешбэк 85 баллов
    FDD8880MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
    186Кешбэк 27 баллов
    SIHG47N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
    1 835Кешбэк 275 баллов
    IXTA50N20PMOSFET N-CH 200V 50A TO263
    1 033Кешбэк 154 балла
    ISL9N303AS3STMOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
    360Кешбэк 54 балла
    IXTA6N100D2MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
    1 947Кешбэк 292 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП