Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SM8S40AHE3_A/I

SM8S40AHE3_A/I

SM8S40AHE3_A/I
;
SM8S40AHE3_A/I

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SM8S40AHE3_A/I при покупке от 1 шт 445.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SM8S40AHE3_A/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SM8S40AHE3_A/I

SM8S40AHE3_A/I Vishay General Semiconductor TVS DIODE

  • 40VWM
  • 64.5VC
  • DO218AB

Основные параметры:

  • Рейтинг напряжения разрушения (VBR): 40 В
  • Рейтинг мощности разрушения (WM): 64.5 ВК
  • Форм-фактор корпуса: DO218AB

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к электрическим шумам и помехам
  • Малый размер корпуса для эффективного использования пространства

Минусы:

  • Ограниченная защита при очень высоких уровнях импульсной нагрузки
  • Необходимость дополнительных компонентов для обеспечения стабильной работы

Общее назначение:

  • Защита электронных компонентов от импульсных перенапряжений
  • Защита от электростатического разряда (ESD)

В каких устройствах применяется:

  • Системы управления двигателем
  • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
  • Автомобильные системы
  • Инверторы и преобразователи
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SM8S40AHE3_A/I

Техническая документация

SM8S40AHE3_A/I.pdf
pdf. 0 kb
  • 529 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    445 ₽
  • 10
    391 ₽
  • 100
    343 ₽
  • 500
    341 ₽
  • 750
    246 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SM8S40AHE3_A/I при покупке от 1 шт 445.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SM8S40AHE3_A/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SM8S40AHE3_A/I

SM8S40AHE3_A/I Vishay General Semiconductor TVS DIODE

  • 40VWM
  • 64.5VC
  • DO218AB

Основные параметры:

  • Рейтинг напряжения разрушения (VBR): 40 В
  • Рейтинг мощности разрушения (WM): 64.5 ВК
  • Форм-фактор корпуса: DO218AB

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к электрическим шумам и помехам
  • Малый размер корпуса для эффективного использования пространства

Минусы:

  • Ограниченная защита при очень высоких уровнях импульсной нагрузки
  • Необходимость дополнительных компонентов для обеспечения стабильной работы

Общее назначение:

  • Защита электронных компонентов от импульсных перенапряжений
  • Защита от электростатического разряда (ESD)

В каких устройствах применяется:

  • Системы управления двигателем
  • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
  • Автомобильные системы
  • Инверторы и преобразователи
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SM8S40AHE3_A/I

Техническая документация

SM8S40AHE3_A/I.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории