Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
UJ3D1210TS
UJ3D1210TS

UJ3D1210TS

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3D1210TS
  • Описание:
    1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,Все характеристики

Минимальная цена UJ3D1210TS при покупке от 1 шт 1340.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3D1210TS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики UJ3D1210TS

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
    Тип диода Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
    Максимальное обратное напряжение (Vr) 1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10A (DC)
    Cреднее значение выпрямленного тока (Io) 10A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 10 A
    Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1.6 V @ 10 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    Скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
    Время восстановления запорного слоя (trr) 0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    110 µA @ 1200 V
    Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 110 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    510pF @ 1V, 1MHz
    Емкость @ Vr, F 510pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
    Корпус TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220-2
    Исполнение корпуса TO-220-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
    Рабочая температура pn-прехода -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    UJ3D1210
    Base Product Number UJ3D1210
Техническая документация
 UJ3D1210TS.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 8913 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 340 ₽
  • 50
    731 ₽
  • 100
    687 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3D1210TS
  • Описание:
    1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,Все характеристики

Минимальная цена UJ3D1210TS при покупке от 1 шт 1340.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3D1210TS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики UJ3D1210TS

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
    Тип диода Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
    Максимальное обратное напряжение (Vr) 1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10A (DC)
    Cреднее значение выпрямленного тока (Io) 10A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 10 A
    Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1.6 V @ 10 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    Скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
    Время восстановления запорного слоя (trr) 0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    110 µA @ 1200 V
    Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 110 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    510pF @ 1V, 1MHz
    Емкость @ Vr, F 510pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
    Корпус TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220-2
    Исполнение корпуса TO-220-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
    Рабочая температура pn-прехода -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    UJ3D1210
    Base Product Number UJ3D1210
Техническая документация
 UJ3D1210TS.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SUF4003Диод: DIODE UFR MELF 200V 1A
    UG58GHDIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD
    MR760RECT 1000 V 6 AMPS
    FR2M-LTP2A,1000V,FAST RECOVERY RECTIFIER
    ISL9R3060G2-F085DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
    SD200SCU150A.TPIV 150V IO 60A CHIP SIZE 200MIL
    DST1045S-ADIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277B
    BAS16LS-QYLDIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
    VSS8D5M15-M3/I5A, 150V, SLIMSMAW TRENCH SKY
    SK16BDIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AA
    NRVBA140NT3GДиод: DIODE SCHOTTKY 1A 40V 1201 SMA2
    ES2DA2A -200V - SMA (DO-214AC) - RECT
    1N2137DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    SS1H10HE3_B/IDIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA
    SB53AFC-AU_R1_000A1SMAF-C, SKY
    FDH300_QDIODE 125V 0.2A 2-PIN DO-35 T/R
    ER2D_R1_00001Диод: SMB, SUPER
    CD214B-FS3KDIO RECT VRRM 800V 3A SMB
    CD214A-B120LRDIO SBD VRRM 20V 1A SMA
    PMEG100T100ELPEZДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 10A CFP15B

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП