Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Интегральные микросхемы
Модули памяти

Модули памяти

Популярные
Количество
AT24C04N-10SC-2.7

Atmel

AT24C04N-10SC-2.7
Микросхема памяти: объем памяти 4 Кб (512 × 8), тактовая частота 400 кГц, напряжение питания 2,7…5,5 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD)

188 шт - в наличии

68 ₽

1 шт — 68 ₽

M24C02-WMN6P

STMicroelectronics

M24C02-WMN6P
Микросхема памяти: объем памяти 2 Кб (256 × 8), тактовая частота 400 кГц, напряжение питания 2,5…5,5 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD)

100 шт - в наличии

10509 шт - 3-6 недель

39 ₽

1 шт — 39 ₽

25 шт — 37 ₽

M24C02-WMN6TP

STMicroelectronics

M24C02-WMN6TP
Микросхема памяти: объем памяти 2 Кб (256 × 8), тактовая частота 400 кГц, напряжение питания 2,5…5,5 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD)

100 шт - в наличии

4488 шт - 3-6 недель

1 334 ₽

1 шт — 1 334 ₽

10 шт — 164 ₽

M24C08-WMN6P

STMicroelectronics

M24C08-WMN6P
Микросхема памяти: объем памяти 8Kb (1K x 8), тактовая частота 400 кГц, напряжение питания 2,5…5,5 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD)

100 шт - в наличии

3397 шт - 3-6 недель

80 ₽

1 шт — 80 ₽

25 шт — 39 ₽

M24C08-WMN6TP

STMicroelectronics

M24C08-WMN6TP
Микросхема памяти: объем памяти 8Kb (1K x 8), тактовая частота 400 кГц, напряжение питания 2,5…5,5 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD)

78 шт - в наличии

9455 шт - 3-6 недель

41 ₽

1 шт — 41 ₽

2500 шт — 33.6 ₽

W25Q40CLSNIG

Winbond Electronics

W25Q40CLSNIG
Микросхема памяти: объем памяти 4 Мб (512 Кб × 8), тактовая частота 104 МГц, напряжение питания 2,3…3,6 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD)

66 шт - в наличии

36000 шт - 3-6 недель

321 ₽

1 шт — 321 ₽

10 шт — 301 ₽

W25Q16JVSSIQ

Winbond Electronics

W25Q16JVSSIQ
Микросхема памяти: объем памяти 16 Мб (2 Мб × 8), тактовая частота 133 МГц, напряжение питания 2,7…3,6 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD)

50 шт - в наличии

84602 шт - 3-6 недель

403 ₽

1 шт — 403 ₽

10 шт — 376 ₽

M24C32-WMN6P

STMICROELECTRONICS

M24C32-WMN6P
Микросхема памяти: объем памяти 32 Кб (4 Кб × 8), тактовая частота 1 МГц, напряжение питания 2,5…5,5 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD)

50 шт - в наличии

5773 шт - 3-6 недель

68 ₽

1 шт — 68 ₽

5 шт — 62 ₽

M27C801-100B1

Stmicroelectronics

M27C801-100B1
Микросхема

48 шт - в наличии

452 ₽

1 шт — 452 ₽

CY7C1049DV33-10VXIT

Cypress Semiconductor

CY7C1049DV33-10VXIT
Микросхема памяти: объем памяти 4 Мб (512 Кб × 8), напряжение питания 3…3,6 В, корпус 36-BSOJ, поверхностный монтаж (SMD), тип памяти энергозависимая

31 шт - в наличии

1 200 ₽

1 шт — 1 200 ₽

AS7C4096A-12JCN

Alliance Memory, Inc.

AS7C4096A-12JCN
Микросхема памяти: объем памяти 4 Мб (512 Кб × 8), напряжение питания 4,5…5,5 В, корпус 36-BSOJ, поверхностный монтаж (SMD), формат памяти SRAM

14 шт - в наличии

186 шт - 3-6 недель

2 527 ₽

1 шт — 2 527 ₽

19 шт — 2 295 ₽

AT45DB081E-SHN-B

ADESTO

AT45DB081E-SHN-B
Микросхема памяти: тактовая частота 85 МГц, напряжение питания 1,7…3,6 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD), тип памяти энергонезависимая

10 шт - в наличии

1101 шт - 3-6 недель

381 ₽

1 шт — 381 ₽

5 шт — 164 ₽

MX25R1635FZUIH0

Macronix

MX25R1635FZUIH0
Микросхема памяти: объем памяти 16 Мб (2 Мб × 8), тактовая частота 80 МГц, напряжение питания 1,65…3,6 В, корпус 8-UFDFN с открытой площадкой

4 шт - в наличии

38342 шт - 3-6 недель

1 573 ₽

1 шт — 1 573 ₽

10 шт — 388 ₽

AT27C256R-45PU

Microchip Technology

AT27C256R-45PU
Микросхема памяти: объем памяти 256 Кб (32 Кб × 8), напряжение питания 4,5…5,5 В, корпус 28-DIP (0,600 дюйма, 15,24 мм), монтаж в отверстия (THT)

4 шт - в наличии

1806 шт - 3-6 недель

607 ₽

1 шт — 607 ₽

25 шт — 504 ₽

AS6C1008-55PCN

Alliance Memory, Inc.

AS6C1008-55PCN
Микросхема памяти: объем памяти 1 Мб (128 Кб × 8), напряжение питания 2,7…5,5 В, корпус 32-DIP (0,600 дюйма, 15,24 мм), монтаж в отверстия (THT)

4 шт - в наличии

1491 шт - 3-6 недель

1 731 ₽

1 шт — 1 731 ₽

13 шт — 1 595 ₽

SST39SF040-70-4C-NHE

Microchip Technology

SST39SF040-70-4C-NHE
Микросхема памяти: объем памяти 4 Мб (512 Кб × 8), напряжение питания 4,5…5,5 В, корпус 32-PLCC (11.43x13.97), поверхностный монтаж (SMD)

4 шт - в наличии

662 шт - 3-6 недель

497 ₽

1 шт — 497 ₽

25 шт — 486 ₽

MX30LF2G18AC-TI

Macronix

MX30LF2G18AC-TI
Микросхема памяти: объем памяти 2 Гб (256 Мб × 8), напряжение питания 2,7…3,6 В, корпус 48-TFSOP, поверхностный монтаж (SMD)

4 шт - в наличии

614 ₽

1 шт — 614 ₽

W25Q128JVSIQ

Winbond Electronics

W25Q128JVSIQ
Микросхема памяти: объем памяти 128 Мб (16 Мб × 8), тактовая частота 133 МГц, напряжение питания 2,7…3,6 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD)

3 шт - в наличии

31963 шт - 3-6 недель

737 ₽

1 шт — 737 ₽

10 шт — 687 ₽

EPC2TC32N

Intel Corporation

EPC2TC32N
Микросхема памяти: объем памяти 1.6Mb, напряжение питания 3 В ~ 3,6 В, 4,75…5,25 В, корпус 32-TQFP, поверхностный монтаж (SMD)

3 шт - в наличии

12 591 ₽

1 шт — 12 591 ₽

AT25010B-SSHL-B

Microchip Technology

AT25010B-SSHL-B
Микросхема памяти: объем памяти 1 Кб (128 × 8), тактовая частота 20 МГц, напряжение питания 1,8…5,5 В, корпус 8-SOIC, поверхностный монтаж (SMD)

2 шт - в наличии

3902 шт - 3-6 недель

68 ₽

1 шт — 68 ₽

Модули памяти — 0 , актуальные цены и наличие на складе

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Модули памяти (Интегральные микросхемы)

Модули памяти: цифровая нервная система современной электроники

В мире, где каждое устройство стремится стать умнее и быстрее, модули памяти выполняют роль фундаментальной основы, на которой строится вся цифровая логика. Это не просто пассивные хранилища данных, а высокоскоростные буферы, обеспечивающие бесперебойный диалог между процессором и остальными компонентами системы. Без них невозможна работа ни одного сложного электронного устройства — от системы управления лифтом в вашем доме, где микроконтроллер постоянно считывает и записывает данные о этажах и командах, до профессионального звукового микшера, обрабатывающего несколько аудиопотоков в реальном времени. Их надежность и скорость напрямую определяют отзывчивость интерфейса, стабильность выполнения прошивки и общую производительность конечного продукта, будь то умный счетчик коммунальных ресурсов или бортовой компьютер промышленного станка.

Микросхемы памяти SOIC на печатной плате

Эволюция технологий: от килобайтов к гигабайтам на кристалле

История развития модулей памяти — это гонка за плотностью, энергоэффективностью и быстродействием. Если первые микросхемы статической памяти (SRAM) измеряли свой объем в килобайтах и потребляли значительную мощность, то современные чипы динамической памяти (DRAM) и флеш-памяти (NAND, NOR) вмещают гигабайты данных, оставаясь крайне экономичными. Ключевым прорывом стало изобретение памяти типа DDR, которая передает данные по обоим фронтам тактового импульса, effectively удваивая пропускную способность без увеличения частоты. Это решение стало отраслевым стандартом для вычислительных систем. Параллельно развивалась флеш-память, позволившая создать компактные и энергонезависимые накопители, которые произвели революцию в портативной технике. Сегодня тренды смещаются в сторону низковольтных решений (LPDDR) для мобильных и IoT-устройств и повышения надежности за счет ECC (коррекции ошибок) в ответственных applications, таких как медицинское оборудование и телекоммуникационные серверы.

Разнообразие решений для конкретных инженерных задач

Выбор конкретного типа памяти диктуется архитектурой проекта и экономическими соображениями. Для кэширования критически важных данных, где важна скорость, а не объем, идеально подходит SRAM — ее можно найти в кэш-памяти процессоров, сетевых маршрутизаторах и высокоскоростных буферах связи. Более емкая и дешевая DRAM составляет основную оперативную память в персональных компьютерах, серверах и сложных мультимедийных системах. Ее разновидности, такие как DDR3, DDR4 и DDR5, предлагают различный баланс производительности и энергопотребления. Для хранения прошивки, операционных систем и пользовательских данных применяется энергонезависимая память. NOR Flash часто используется для хранения кода благодаря возможности быстрого произвольного доступа, в то время как более емкая NAND Flash лежит в основе SSD-накопителей и карт памяти. Отдельно стоит выделить серию EEPROM, незаменимую для хранения небольших, но часто изменяемых данных конфигурации, как в автомобильной электронике или системах умного дома.

На что обратить внимание при выборе?

Подбор модуля памяти — это не только поиск по форм-фактору. Несколько ключевых параметров определяют совместимость и производительность:

  • Тип и поколение: DDR3, DDR4, LPDDR4, SRAM, EEPROM — каждый тип имеет свои уникальные характеристики напряжения и таймингов.
  • Объем и организация: Количество мега- или гигабайт (64Mbit, 2GB) и разрядность шины (x8, x16) должны соответствовать требованиям контроллера.
  • Скорость (Тактовая частота или пропускная способность): Обозначается в мегагерцах (МГц) или как пропускная способность (например, PC4-25600). Выбор должен соответствовать возможностям системы.
  • Напряжение питания: Современные чипы работают при пониженном напряжении (1.2V, 1.35V), что критично для энергосберегающих проектов.
  • Корпус: Форм-фактор (SOIC, TSOP, BGA, DIP) определяет технологию монтажа (автоматический или ручной).
  • Дополнительные функции: Наличие ECC (коррекция ошибок) для повышения надежности или функции самообновления (Self-Refresh) для энергосбережения.

Почему заказчики выбирают «Эиком Ру»?

Наш магазин стал надежным партнером для сотен инженеров и компаний именно потому, что мы глубоко понимаем суть ваших задач. Мы предлагаем не просто каталог деталей, а тщательно сформированную базу компонентов от проверенных производителей (Micron, Samsung, Winbond, ISSI), где каждая позиция прошла строгий входной контроль. Это гарантирует, что вы получите именно те микросхемы, которые обеспечат стабильную работу вашего устройства на протяжении всего его жизненного цикла. Мы гордимся своим обширным складским ассортиментом, который позволяет быстро комплектовать заказы и предлагать конкурентные цены без ущерба для качества. А нашим ключевым преимуществом для клиентов со всей России является бесплатная доставка заказов, что делает сотрудничество не только надежным, но и максимально выгодным. Мы ценим ваше время и доверие.

Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП