EPC представляет новые GaN-транзисторы с революционным сопротивлением включения 1 мОм

Компания EPC представила свою последнюю новинку — GaN-транзистор с улучшенным режимом EPC2361, демонстрирующий удельную мощность, вдвое превышающую показатели предыдущего поколения.

Недавно выпущенный EPC2361, 100-вольтовый GaN-транзистор с улучшенным режимом работы, устанавливает новый стандарт плотности мощности, удваивая производительность предыдущих моделей EPC.

Обладая впечатляюще низким типичным RDS(on) 1mΩ, EPC2361 размещен в термически оптимизированном корпусе QFN, занимая минимальную площадь 3 на 5 мм. Его максимальный RDS(on) x Area составляет 15 мОм*мм2, что значительно меньше, чем у аналогичных 100-вольтовых кремниевых МОП-транзисторов.

Исключительно низкое сопротивление включения EPC2361 играет ключевую роль в повышении плотности мощности и эффективности различных систем преобразования энергии, тем самым снижая энергопотребление и тепловыделение. Это достижение имеет решающее значение для целого ряда приложений, включая синхронное выпрямление AC-DC в мощных блоках питания, высокочастотное DC-DC преобразование в центрах обработки данных и приводы двигателей в таких секторах, как электронная мобильность, робототехника, беспилотные летательные аппараты и солнечные MPPT.

Генеральный директор и соучредитель компании EPC Алекс Лидоу подчеркнул преобразующий потенциал 1mΩ GaN FET в развитии технологии GaN, позволяющей создавать более эффективные, компактные и надежные системы силовой электроники.