1EBN1001AEXUMA1

1EBN1001AEXUMA1 Infineon Technologies — это микросхема типа IC GATE DRV HI/LOW SIDE DSO14-43. Эта микросхема используется для управления высоковольтными полупроводниками, таких как MOSFETы и IGBTы.

• Основные параметры:
• Количество каналов: 2
• Напряжение питания: от 5 В до 30 В
• Ток выходного тока: до 2 А
• Время задержки включения/выключения: до 60 нс
• Максимальное рабочее температура: до +125°C

• Плюсы:
• Высокая скорость включения/выключения
• Устойчивость к электромагнитному излучению
• Малый размер и легкость интеграции
• Простота использования и надежность

• Минусы:
• Требует дополнительных компонентов для работы (например, фильтры)
• Могут быть ограничения по мощности при работе с очень высокими напряжениями

• Общее назначение:
• Управление MOSFETами и IGBTами в различных приложениях
• Автоматизация и контроль электрических цепей
• Регулирование напряжения и тока

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Инверторы для домашнего использования
• Промышленные контроллеры и преобразователи
• Системы управления электропитанием