Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N4002
  • В избранное
  • В сравнение
1N4002

1N4002

1N4002
;
1N4002

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diotec Semiconductor
  • Артикул:
    1N4002
  • Описание:
    Диод: R-SI 100V 1AВсе характеристики

Минимальная цена 1N4002 при покупке от 1 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4002 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4002

1N4002 Диод: R-SI 100В 1А

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения (URM): 100В
    • Полупроводниковая технология: R-SI (Rectifier Silicon)
    • Максимальный ток прямого тока (IRMS): 1А
    • Тип диода: Шунтирующий диод
  • Плюсы:
    • Высокий уровень надежности
    • Дешевизна
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Низкая эффективность в сравнении с более современными диодами
    • Существование обратного тока
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Шунтирование источников питания
    • Контроль направления тока в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные аккумуляторы
    • Электронные блоки питания
    • Защитные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4002

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 nA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-41
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C

Техническая документация

 1N4002.pdf
pdf. 0 kb
  • 1175 шт
    в наличии
  • 26321 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.5 ₽
  • 100
    9.2 ₽
  • 1000
    5.8 ₽
  • 5000
    4.95 ₽
  • 15000
    3.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diotec Semiconductor
  • Артикул:
    1N4002
  • Описание:
    Диод: R-SI 100V 1AВсе характеристики

Минимальная цена 1N4002 при покупке от 1 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4002 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4002

1N4002 Диод: R-SI 100В 1А

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения (URM): 100В
    • Полупроводниковая технология: R-SI (Rectifier Silicon)
    • Максимальный ток прямого тока (IRMS): 1А
    • Тип диода: Шунтирующий диод
  • Плюсы:
    • Высокий уровень надежности
    • Дешевизна
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Низкая эффективность в сравнении с более современными диодами
    • Существование обратного тока
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Шунтирование источников питания
    • Контроль направления тока в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные аккумуляторы
    • Электронные блоки питания
    • Защитные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4002

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 nA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-41
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C

Техническая документация

 1N4002.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DSEI30-12AДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD
    1 089Кешбэк 163 балла
    DPG15I400PMДиод: DIODE GEN PURP 400V 15A TO220FP
    393Кешбэк 58 баллов
    DSEI8-06AДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    422Кешбэк 63 балла
    DSEP29-06AДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
    932Кешбэк 139 баллов
    DHG10I1200PAДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
    485Кешбэк 72 балла
    DSEP30-12ARДиод: DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247
    1 440Кешбэк 216 баллов
    DSS60-0045BДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 60A TO247AD
    1 097Кешбэк 164 балла
    DHG10I1800PAДиод: DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC
    671Кешбэк 100 баллов
    DSI30-16AДиод: DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC
    346Кешбэк 51 балл
    DH60-16AДиод: DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AD
    1 971Кешбэк 295 баллов
    DHG10I1200PMДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
    506Кешбэк 75 баллов
    DPG10I400PAДиод: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC
    426Кешбэк 63 балла
    DSI30-12AS-TUBДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263
    637Кешбэк 95 баллов
    DSEP12-12BДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC
    524Кешбэк 78 баллов
    DSI30-12AДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
    560Кешбэк 84 балла
    DSEP30-06AДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
    993Кешбэк 148 баллов
    DHG5I600PMДиод: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP
    826Кешбэк 123 балла
    DMA30E1800HAДиод: DIODE GEN PURP 1800V 30A TO247
    819Кешбэк 122 балла
    DSI45-16ARДиод: DIODE GP 1.6KV 48A ISOPLUS247
    960Кешбэк 144 балла
    DPG15I200PAДиод: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC
    426Кешбэк 63 балла
    DSEP8-06BДиод: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
    491Кешбэк 73 балла
    DSEI12-10AДиод: DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC
    647Кешбэк 97 баллов
    DPF30I300PAДиод: DIODE GEN PURP 300V 30A TO220AC
    769Кешбэк 115 баллов
    DSEP8-06AДиод: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
    450Кешбэк 67 баллов
    DSEP15-06BДиод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
    622Кешбэк 93 балла
    DHG30I1200HAДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
    1 043Кешбэк 156 баллов
    DPG15I300PAДиод: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220AC
    509Кешбэк 76 баллов
    DPG60I300HAДиод: DIODE GEN PURP 300V 60A TO247
    1 126Кешбэк 168 баллов
    DPG60IM400QBДиод: DIODE GEN PURP 400V 60A TO3P
    1 075Кешбэк 161 балл
    DHG5I600PAДиод: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
    815Кешбэк 122 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП