Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды и транзисторы для регулирования тока
1N5299
  • В избранное
  • В сравнение
1N5299

1N5299

1N5299
;
1N5299

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    New Jersey Semiconductor (NJS)
  • Артикул:
    1N5299
  • Описание:
    SILICON CURRENT LIMITING DIODEВсе характеристики

Минимальная цена 1N5299 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5299 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5299

1N5299 New Jersey Semiconductor (NJS) SILICON CURRENT LIMITING DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение: 30 В
    • Максимальный прямой ток: 6 А
    • Рабочий диапазон температур: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое сопротивление при прямом токе
  • Минусы:
    • Существует риск разрушения при превышении максимального обратного напряжения
    • Обратное сопротивление выше, чем у некоторых других типов диодов
  • Общее назначение:
    • Защита электронных компонентов от перенапряжений
    • Управление током в различных приложениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
    • Телекоммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5299

  • Рабочая температура
    -55°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35

Техническая документация

 1N5299.pdf
pdf. 0 kb
  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    New Jersey Semiconductor (NJS)
  • Артикул:
    1N5299
  • Описание:
    SILICON CURRENT LIMITING DIODEВсе характеристики

Минимальная цена 1N5299 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5299 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5299

1N5299 New Jersey Semiconductor (NJS) SILICON CURRENT LIMITING DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение: 30 В
    • Максимальный прямой ток: 6 А
    • Рабочий диапазон температур: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое сопротивление при прямом токе
  • Минусы:
    • Существует риск разрушения при превышении максимального обратного напряжения
    • Обратное сопротивление выше, чем у некоторых других типов диодов
  • Общее назначение:
    • Защита электронных компонентов от перенапряжений
    • Управление током в различных приложениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
    • Телекоммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5299

  • Рабочая температура
    -55°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35

Техническая документация

 1N5299.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N5287FED .33 MA DO35
    3 294Кешбэк 494 балла
    1N5312FED 3.9 MA DO35
    3 294Кешбэк 494 балла
    1N5294SILICON CURRENT LIMITING DIODE
    3 294Кешбэк 494 балла
    1N5283SILICON CURRENT LIMITING DIODE
    3 308Кешбэк 496 баллов
    1N5306FED 2 MA DO35
    3 327Кешбэк 499 баллов
    1N5314FED 4.7 MA DO35
    3 332Кешбэк 499 баллов
    1N5305FED 1.2 MA DO35
    3 871Кешбэк 580 баллов
    CL20M35R7CLD/CCR SMA 90V 20MA
    31Кешбэк 4 балла
    CL20M35-AQCL Diode, 90V, 20mA
    50Кешбэк 7 баллов
    CL05M6FCLD/CCR SOD-123FL 150V 6MA
    72Кешбэк 10 баллов
    CL40M45CLD/CCR SMB 90V 40MA
    92Кешбэк 13 баллов
    CL30MDCLD/CCR DO-213AA 90V 40MA
    93Кешбэк 13 баллов
    CL20MDCLD/CCR DO-213AA 90V 30MA
    93Кешбэк 13 баллов
    CL10MDCLD/CCR MELF 90V 20MA
    93Кешбэк 13 баллов
    CL15MDCLD/CCR DO-213AA 90V 25MA
    95Кешбэк 14 баллов
    CL20M35CLD/CCR SMA 90V 20MA
    97Кешбэк 14 баллов
    CL20M45CLD/CCR SMB 90V 20MA
    121Кешбэк 18 баллов
    SST506 SOT-23 3LCURRENT REGULATING DIODE
    1 674Кешбэк 251 балл
    SST509 SOT-23 3LCURRENT REGULATING DIODE
    1 674Кешбэк 251 балл
    SST508 SOT-23 3LCURRENT REGULATING DIODE
    1 674Кешбэк 251 балл
    SST510 SOT-23 3LCURRENT REGULATING DIODE
    1 674Кешбэк 251 балл
    SST505 SOT-23 3LCURRENT REGULATING DIODE
    1 674Кешбэк 251 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП