Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
2N4401RP

2N4401RP

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    2N4401RP
  • Описание:
    Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена 2N4401RP при покупке от 7869 шт 7.30 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N4401RP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2N4401RP

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    750mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 1V
  • Рассеивание мощности
    625mW
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92 (TO-226)
  • 145950 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 7869
    7.3 ₽

Минимально и кратно 7869 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    2N4401RP
  • Описание:
    Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена 2N4401RP при покупке от 7869 шт 7.30 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N4401RP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2N4401RP

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    750mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 1V
  • Рассеивание мощности
    625mW
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92 (TO-226)

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем