Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
2N5401

2N5401

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена 2N5401 при покупке от 1 шт 25 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5401 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2N5401

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    150 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Исполнение корпуса
    TO-92 (TO-226)
  • Base Product Number
    2N5401
Техническая документация
2N5401.pdf
pdf. 0 kb
  • 809 шт
    в наличии
  • 12551 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    25 ₽
  • 50
    10.8 ₽
  • 500
    6.8 ₽
  • 2000
    5.3 ₽
  • 8000
    4.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена 2N5401 при покупке от 1 шт 25 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5401 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2N5401

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    150 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Исполнение корпуса
    TO-92 (TO-226)
  • Base Product Number
    2N5401
Техническая документация
2N5401.pdf
pdf. 0 kb