Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
2SB1260T100P
2SB1260T100P

2SB1260T100P

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Артикул:
    2SB1260T100P
  • Описание:
    TRANS PNP 80V 1A MPT3Все характеристики

Минимальная цена 2SB1260T100P при покупке от 1 шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SB1260T100P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SB1260T100P

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    82 @ 100mA, 3V
  • Рассеивание мощности
    2 W
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    MPT3
  • Base Product Number
    2SB1260
Техническая документация
 8125419.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    2SB1260T100P
  • Описание:
    TRANS PNP 80V 1A MPT3Все характеристики

Минимальная цена 2SB1260T100P при покупке от 1 шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SB1260T100P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SB1260T100P

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    82 @ 100mA, 3V
  • Рассеивание мощности
    2 W
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    MPT3
  • Base Product Number
    2SB1260
Техническая документация
 8125419.pdf
pdf. 0 kb
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП