Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
2SC5227A-5-TB-E
  • В избранное
  • В сравнение
2SC5227A-5-TB-E

2SC5227A-5-TB-E

2SC5227A-5-TB-E
;
2SC5227A-5-TB-E

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SC5227A-5-TB-E
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 2SC5227A-5-TB-E при покупке от 1 шт 172.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SC5227A-5-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SC5227A-5-TB-E

2SC5227A-5-TB-E onsemi Транзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Рабочая напряжённость: 10В
    • Частота: 7ГГц
    • Количество каналов: 3
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы до 7ГГц
    • Устойчивость к высоким напряжениям (до 10В)
    • Многофункциональность благодаря трём каналам
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на полной мощности
    • Сложность в использовании для начинающих из-за высокой рабочей частоты
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Применяется в системах связи и радиоэлектронных устройствах
    • Подходит для создания усилителей и фильтров
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции и спутниковые приемники
    • Мобильные телефоны и базовые станции сотовой связи
    • Радарные системы и другие устройства высокочастотной электроники
Выбрано: Показать

Характеристики 2SC5227A-5-TB-E

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    10V
  • Трансформация частоты
    7GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1dB @ 1GHz
  • Усиление
    12dB
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    135 @ 20mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    70mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CP
  • Base Product Number
    2SC5227

Техническая документация

 2SC5227A-5-TB-E.pdf
pdf. 0 kb
  • 4 шт
    в наличии
  • Количество
    Цена
  • 1
    172 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SC5227A-5-TB-E
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 2SC5227A-5-TB-E при покупке от 1 шт 172.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SC5227A-5-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SC5227A-5-TB-E

2SC5227A-5-TB-E onsemi Транзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Рабочая напряжённость: 10В
    • Частота: 7ГГц
    • Количество каналов: 3
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы до 7ГГц
    • Устойчивость к высоким напряжениям (до 10В)
    • Многофункциональность благодаря трём каналам
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на полной мощности
    • Сложность в использовании для начинающих из-за высокой рабочей частоты
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Применяется в системах связи и радиоэлектронных устройствах
    • Подходит для создания усилителей и фильтров
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции и спутниковые приемники
    • Мобильные телефоны и базовые станции сотовой связи
    • Радарные системы и другие устройства высокочастотной электроники
Выбрано: Показать

Характеристики 2SC5227A-5-TB-E

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    10V
  • Трансформация частоты
    7GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1dB @ 1GHz
  • Усиление
    12dB
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    135 @ 20mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    70mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CP
  • Base Product Number
    2SC5227

Техническая документация

 2SC5227A-5-TB-E.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBTH10LT1
    13Кешбэк 1 балл
    15GN01CA-TB-EТранзистор: RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP
    14.8Кешбэк 2 балла
    15GN01MA-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP
    14.8Кешбэк 2 балла
    MCH3007-TL-HRF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
    22.2Кешбэк 3 балла
    CPH6021-TL-HRF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH
    26Кешбэк 3 балла
    MMBTH11RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    2SC5501A-4-TR-EТранзистор
    28Кешбэк 4 балла
    MMBT5179Транзистор: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBTH10LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SC5277A-2-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP
    76Кешбэк 11 баллов
    MSC2295-CT1Транзистор: RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
    13Кешбэк 1 балл
    MMBTH10LT3GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SC6023-TR-EТранзистор: NPN 35MA 3.5V FT=14.5G
    18.5Кешбэк 2 балла
    EC4H09C-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
    187Кешбэк 28 баллов
    FH105A-TR-EТранзистор
    76Кешбэк 11 баллов
    EC4H08C-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
    135Кешбэк 20 баллов
    MSC2295-CT1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
    13Кешбэк 1 балл
    MMBT918LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
    20.4Кешбэк 3 балла
    MMBTH81Транзистор: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    FH102A-TR-EТранзистор
    72Кешбэк 10 баллов
    MSC2295-BT1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
    13Кешбэк 1 балл
    MCH4020-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH
    122Кешбэк 18 баллов
    2SC5231A-8-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP
    46Кешбэк 6 баллов
    MMBTH10-4LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    15GN03MA-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP
    98Кешбэк 14 баллов
    2SC6024-TL-EТранзистор: BIP NPN 35MA 3.5V FT=14G
    22.2Кешбэк 3 балла
    NSVMMBTH10LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
    48Кешбэк 7 баллов
    SMMBTH10-4LT3GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    89Кешбэк 13 баллов
    BF959RL1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MPS3563GRF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
    13Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП