Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
2SK1069-5-TL-E
2SK1069-5-TL-E

2SK1069-5-TL-E

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SK1069-5-TL-E
  • Описание:
    LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSEВсе характеристики

Минимальная цена 2SK1069-5-TL-E при покупке от 176 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK1069-5-TL-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SK1069-5-TL-E

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
    Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS) 40 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    20 mA
    Ток утечки (Id) - Макс 20 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    300 mV @ 1 µA
    Напряжение отсечки (VGS off) @ Id 300 mV @ 1 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9pF @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    150 mW
    Рассеивание мощности 150 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
    Рабочая температура 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
    Вид монтажа Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
    Корпус SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    3-MCPH
    Исполнение корпуса 3-MCPH
Техническая документация
 2SK1069-5-TL-E.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 23742 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 176
    310 ₽

Минимально и кратно 176 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SK1069-5-TL-E
  • Описание:
    LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSEВсе характеристики

Минимальная цена 2SK1069-5-TL-E при покупке от 176 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK1069-5-TL-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SK1069-5-TL-E

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
    Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS) 40 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    20 mA
    Ток утечки (Id) - Макс 20 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    300 mV @ 1 µA
    Напряжение отсечки (VGS off) @ Id 300 mV @ 1 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9pF @ 10V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    150 mW
    Рассеивание мощности 150 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
    Рабочая температура 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
    Вид монтажа Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
    Корпус SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    3-MCPH
    Исполнение корпуса 3-MCPH
Техническая документация
 2SK1069-5-TL-E.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    LSK170D SOT-23 3LLOW NOISE & CAPACITANCE, HIGH IN
    2N4858N-CHANNEL MOSFET TO-18
    SST404 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    U422 TO-78 7LLOW LEAKAGE, LOW DRIFT, MONOLITH
    LSK589 SOT-23 3LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    LSK389D SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    2N5461_L99ZIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
    PN4416 TO-92 3LWIDEBAND, HIGH GAIN, SINGLE, N-
    J112-D27ZSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    NTE456JFET-N-CH GEN AMP/SW
    UJ3N120035K3S1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    LSK170C SOT-23 3LLOW NOISE & CAPACITANCE, HIGH IN
    MV2N4093UB/TRJFET
    LSK170B TO-92 3LLOW NOISE & CAPACITANCE, HIGH IN
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    2N4859N-CHANNEL MOSFET TO-18
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    SST4117 SOT-23 3LULTRA HIGH INPUT IMPEDANCE N-CHA
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП