2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

Количество


  • Артикул:
    2SK3666-3-TB-E
  • Производитель:
    ON Semiconductor
  • Описание:
    ON SEMICONDUCTOR - 2SK3666-3-TB-E - ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -30 В, 1.2 мА, 3 мА, -2.2 В, SOT-23, JFET
  • Техническое описание
Купите 2SK3666-3-TB-E онлайн с помощью банковской карты или выберите оплату по безналичному расчету.
Характеристики
  • Категория продукта
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
  • Серия
    -
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    -
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.2mA @ 10V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    10mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    180mV @ 1µA
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    200 Ohm
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CP
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Производитель


Минимальная цена 2SK3666-3-TB-E на данный момент составляет 7.57 руб. Стоимость позиции зависит от количества заказываемых электронных компонентов. Минимально можно купить 2SK3666-3-TB-E от шт.

Мы рекомендуем
Мы рекомендуем

«ЭИК» - Cамый большой в России ассортимент электронных компонентов

Ассортимент

Всегда в наличии более
100 000 наименований
электронных компонентов

Сертификаты

Система управления качеством
по стандарту ИСО 9001:2008

Доставка

Экспресс доставка электронных
компонентов из США, Азии и Европы
от 5 дней

Эффективность

Быстрый ответ на ваши запросы,
снизим затраты вашей компании
на закупки электронных компонентов