Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2SK3666-3-TB-E
2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SK3666-3-TB-E
  • Описание:
    JFET N-CH 10MA 200MW 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 2SK3666-3-TB-E при покупке от 1 шт 89 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK3666-3-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SK3666-3-TB-E

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    10 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    180 mV @ 1 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    200 Ohms
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SMCP
  • Base Product Number
    2SK3666
Техническая документация
 2SK3666-3-TB-E.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 724245 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    89 ₽
  • 3386
    17 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SK3666-3-TB-E
  • Описание:
    JFET N-CH 10MA 200MW 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 2SK3666-3-TB-E при покупке от 1 шт 89 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK3666-3-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SK3666-3-TB-E

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    10 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    180 mV @ 1 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    200 Ohms
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SMCP
  • Base Product Number
    2SK3666
Техническая документация
 2SK3666-3-TB-E.pdf
pdf. 0 kb
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП