Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2SK879-Y(TE85L,F)
  • В избранное
2SK879-Y(TE85L,F)

2SK879-Y(TE85L,F) полевой транзистор, N-канал, 1.2 мА @ 10 В, 100 мВт, 8.2 пФ @ 10В

  • В избранное
2SK879-Y(TE85L,F)
2SK879-Y(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    2SK879-Y(TE85L,F)
  • Описание:
    JFET N-CH 0.1W USMВсе характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 26 ₽/шт, купить 2SK879-Y(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 18070 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    122 ₽
  • 100
    49 ₽
  • 1000
    33 ₽
  • 6000
    26 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    400 mV @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8.2pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    USM
  • Base Product Number
    2SK879

Техническая документация

 Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba JFET N-CH 0.1W USM

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Проводимость: N-канальная
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Технология: USM (Ultra-Small MOS)
  • Плюсы:
    • Низкий уровень шума
    • Высокая скорость переключения
    • Хорошая стабильность
    • Компактный размер благодаря технологии USM
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление входного барьера может ограничивать динамический диапазон
    • Требует более сложной электроники для управления
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах и системах
    • Аналоговые и цифровые приборы
    • Управление нагрузками в электронных системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Микросхемы и микроконтроллеры
    • Автомобильная электроника
    • Профессиональное оборудование

Альтернативные маркировки

  • 2SK879-Y(TE85LF)DKR-ND
  • 2SK879-Y(TE85LF)TR-ND
  • 2SK879-Y(TE85LF)CT
  • 2SK879-Y(TE85LF)DKR
  • 2SK879-Y(TE85LF)TR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП