6116SA20SOG

6116SA20SOG Renesas Electronics микросхема:

• Тип: SRAM (Синхронная память вспомогательного типа)
• Объем: 16 килобитов (16 KBIT)
• Интерфейс: Параллельный
• Количество выводов: 24 (24 SOIC)

Основные параметры:

• Напряжение питания: 3,3 В
• Частота работы: до 25 МГц
• Время записи/чтения: 25 нс
• Технология производства: CMOS

Плюсы:

• Высокая скорость работы
• Устойчивость к ошибкам
• Низкое энергопотребление
• Малый размер

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с ОЗУ DRAM
• Необходимость постоянного питания для сохранения данных
• Большое потребление памяти по сравнению с современными технологиями

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах
• Память для временного хранения данных в цифровых системах
• Программное обеспечение и конфигурационная информация в устройствах

В каких устройствах применяется:

• Процессоры
• Системы управления
• Автомобильные системы
• Медицинское оборудование
• Домашние аудио-видео устройства